Субстрат SiC 4H-N толщиной 350um, используемый в полупроводниковых материалах оптоэлектроники

Описание продукта

Субстраты SiC являются ключевыми материалами в области технологии полупроводников, предлагая уникальные свойства и перспективные применения.Карбид кремния (SiC) - это полупроводниковый материал широкого диапазона, известный своей превосходной электрической прочности., тепловых и механических свойств.

4H-N SiC субстраты, как правило, полупроводники n-типа, где азотные (N) допанты вводят избыточные электроны в кристаллическую решетку,изделие, предназначенное для использования в электротехнических приложенияхЭти субстраты применяются в силовой электронике, высокочастотных устройствах и оптоэлектронике из-за их высокой мобильности электронов и низкого сопротивления.

С другой стороны, SiC-субстраты также могут проявлять полуизоляционное поведение, что делает их идеальными для высокомощных и высокотемпературных приложений.Полуизоляционные свойства возникают из-за внутренних дефектов или преднамеренного допинга глубокими примесями.Эти субстраты широко используются в высокомощных радиочастотных (РЧ) устройствах, микроволновой электронике и датчиках суровой среды.

Производство высококачественных субстратов SiC включает в себя передовые методы роста, такие как физический транспорт пара (PVT), химическое осаждение пара (CVD) или эпитаксию сублимации.Эти методы позволяют точно контролировать кристаллическую структуру материалаУникальные свойства SiC в сочетании с точными процессами изготовлениясделать SiC-субстраты очень ценными для ряда применений полупроводников.

Параметр продукта

Характер продукта

Субстраты 4H-N SiC обладают проводимостью n-типа из-за присутствия азота, обеспечивающего избыток электронов для электронной проводимости.
Субстраты SiC демонстрируют полуизоляционное поведение, характеризующееся высоким сопротивлением и минимальной электронной проводимостью, что необходимо для некоторых электронных и оптоэлектронных приложений.

• Пробелы в полосе: Силиковые субстраты имеют широкий пробел, обычно около 3,0 eV, что позволяет использовать их в высокомощных и высокочастотных устройствах и оптоэлектронных приложениях.
• Теплопроводность: Си-цилиндровые субстраты обладают высокой теплопроводностью, что позволяет эффективно рассеивать тепло, вырабатываемое во время работы устройства.Это свойство имеет решающее значение для поддержания надежности и производительности устройства, особенно в высокомощных и высокотемпературных приложениях.
• Механические свойства:Страты SiC обладают отличными механическими свойствами, включая высокую твердость, жесткость и химическую инертность.Эти свойства делают их устойчивыми к механическому износу и коррозии, обеспечивая долгосрочную надежность устройства в суровых условиях эксплуатации.
• Структура кристалла: СиК-субстраты имеют шестиугольную кристаллическую структуру (4H политип), что влияет на их электронные свойства и производительность устройства.Кристаллическая структура 4H обеспечивает специфическое выравнивание электронных полос и мобильность носителей, подходящих для различных полупроводниковых устройств.
• Морфология поверхности:Страты SiC обычно имеют гладкую морфологию поверхности с низкой плотностью дефектов,облегчение роста высококачественных эпитаксиальных слоев и изготовления высокопроизводительных устройств.
• Химическая устойчивость:Страты SiC обладают высокой химической устойчивостью, что делает их устойчивыми к деградации при воздействии коррозионной среды или реактивных химических веществ.Это свойство выгодно для приложений, требующих долгосрочной надежности и стабильности устройства.

Экспозиция продукции

Вопросы и ответы
В чем разница между 4H-SiC и 6H-SiC?

Все остальные политипы SiC представляют собой смесь цинковой смеси и Wurtzite связи. 4H-SiC состоит из равного числа кубических и шестиугольных связей с последовательностью ABCB.6H-SiC состоит из двух третей кубических связей и одной трети шестиугольных связей с последовательностью ABCACB.