Подгонянное рассогласование решетки обломока Сик квадрата размера низкое с высоко термальным Видео из Китая

Apr 28, 2025

170 мнения

Описание продукта: 10кс10мм 5кс5мм подгоняло квадратные субстраты сик, вафли 1инч сик, обломоки сик кристаллические, субстраты полупроводника сик, вафлю 6Х-Н СИК, вафлю Узнать больше

Подгонянное рассогласование решетки обломока Сик квадрата размера низкое с высоко термальным

Подгонянное рассогласование решетки обломока Сик квадрата размера низкое с высоко термальным

10x10mm

Китай

Свяжитесь сейчас

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier

8 Годы

Субстрат SiC 4H-N толщиной 350um, используемый в полупроводниковых материалах оптоэлектроники

Субстрат SiC 4H-N толщиной 350um, используемый в полупроводниковых материалах оптоэлектроники

Субстрат SiC 4H-N толщиной 350um, используемый в полупроводниковых материалах оптоэлектроники

4H-SEMI Силиконовый карбид Си-Си субстрат 2 дюйма толщина 350um 500um Прайм-класс фиктивный класс Си-Си вафель

4H-SEMI Силиконовый карбид Си-Си субстрат 2 дюйма толщина 350um 500um Прайм-класс фиктивный класс Си-Си вафель

4H-SEMI Силиконовый карбид Си-Си субстрат 2 дюйма толщина 350um 500um Прайм-класс фиктивный класс Си-Си вафель

Субстрат катализатора вафель DSP 4H-N 5x5mm Sic керамический

Субстрат катализатора вафель DSP 4H-N 5x5mm Sic керамический

Субстрат катализатора вафель DSP 4H-N 5x5mm Sic керамический

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Исследование поддельный класс SIC эпитаксиальные субстраты

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Исследование поддельный класс SIC эпитаксиальные субстраты

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Исследование поддельный класс SIC эпитаксиальные субстраты

4H-SEMI SiC подложка режущий диск Диаметр 10 мм Толщина 5 мм <0001> Высокая твердость

4H-SEMI SiC подложка режущий диск Диаметр 10 мм Толщина 5 мм <0001> Высокая твердость

4H-SEMI SiC подложка режущий диск Диаметр 10 мм Толщина 5 мм <0001> Высокая твердость

Заменить партию

6 дюймов 4H-N Кремниевый карбид SiC субстрат Диа 150 мм Толщина 350um 500um N Ти

6 дюймов 4H-N Кремниевый карбид SiC субстрат Диа 150 мм Толщина 350um 500um N Ти

Просмотр деталей

4H-N Силиконовый карбид Си Си субстрат 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюйма 8 дюйма

4H-N Силиконовый карбид Си Си субстрат 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюйма 8 дюйма

Просмотр деталей

4H-SEMI Силиконовый карбид Си-Си субстрат 2 дюйма толщина 350um 500um Прайм-клас

4H-SEMI Силиконовый карбид Си-Си субстрат 2 дюйма толщина 350um 500um Прайм-клас

Просмотр деталей

4H-SEMI SiC подложка режущий диск Диаметр 10 мм Толщина 5 мм <0001> Высокая твер

4H-SEMI SiC подложка режущий диск Диаметр 10 мм Толщина 5 мм <0001> Высокая твер

Просмотр деталей

Силиконовый карбид 8 дюймов 200 мм полировка субстрат полупроводники

Силиконовый карбид 8 дюймов 200 мм полировка субстрат полупроводники

Просмотр деталей

Найти похожие товары по категориям:

Главная страница поставщика Продукты

MachineU Видеоканал Химикаты Неорганические химикаты Неметаллические продукты Керамика

Контактный поставщик

Сообщение*

Электронная почта*

Телефон или WhatsApp*

Имя

Компания

Требование о предоставлении

Пожалуйста, ответьте мне в течение 24 часов.

Да, я бы хотел получить подтвержденные поставщики!