10 Mm x 10 Mm типа субстрата 6H Полу-изолируя SiC Кристл ранга исследования субстрата SiC Видео из Китая

Jun 21, 2025

171 мнения

Описание продукта: 10 Mm x 10 Mm типа субстрата 6H Полу-изолируя SiC Кристл ранга исследования субстрата SiC тип субстраты 4inch dia100m 4H-N SiC ранга ранга продукУзнать больше

10 Mm x 10 Mm типа субстрата 6H Полу-изолируя SiC Кристл ранга исследования субстрата SiC

10 Mm x 10 Mm типа субстрата 6H Полу-изолируя SiC Кристл ранга исследования субстрата SiC

6h-n, 4h-semi

Китай

Свяжитесь сейчас

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier

8 Годы

Субстрат катализатора вафель DSP 4H-N 5x5mm Sic керамический

Субстрат катализатора вафель DSP 4H-N 5x5mm Sic керамический

Субстрат катализатора вафель DSP 4H-N 5x5mm Sic керамический

4H-SEMI Силиконовый карбид Си-Си субстрат 2 дюйма толщина 350um 500um Прайм-класс фиктивный класс Си-Си вафель

4H-SEMI Силиконовый карбид Си-Си субстрат 2 дюйма толщина 350um 500um Прайм-класс фиктивный класс Си-Си вафель

4H-SEMI Силиконовый карбид Си-Си субстрат 2 дюйма толщина 350um 500um Прайм-класс фиктивный класс Си-Си вафель

Субстрат SiC 4H-N толщиной 350um, используемый в полупроводниковых материалах оптоэлектроники

Субстрат SiC 4H-N толщиной 350um, используемый в полупроводниковых материалах оптоэлектроники

Субстрат SiC 4H-N толщиной 350um, используемый в полупроводниковых материалах оптоэлектроники

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Исследование поддельный класс SIC эпитаксиальные субстраты

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Исследование поддельный класс SIC эпитаксиальные субстраты

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Исследование поддельный класс SIC эпитаксиальные субстраты

4H-SEMI SiC подложка режущий диск Диаметр 10 мм Толщина 5 мм <0001> Высокая твердость

4H-SEMI SiC подложка режущий диск Диаметр 10 мм Толщина 5 мм <0001> Высокая твердость

4H-SEMI SiC подложка режущий диск Диаметр 10 мм Толщина 5 мм <0001> Высокая твердость

Промышленные сапфировые шпильки Сапфировые подъемные шпильки Dia1.6 1.8 Orcustomize Высокая твердость для радиолокационной системы

Промышленные сапфировые шпильки Сапфировые подъемные шпильки Dia1.6 1.8 Orcustomize Высокая твердость для радиолокационной системы

Промышленные сапфировые шпильки Сапфировые подъемные шпильки Dia1.6 1.8 Orcustomize Высокая твердость для радиолокационной системы

Заменить партию

Объектив sic Undoped прозрачного кремниевого карбида кристаллический оптически с

Объектив sic Undoped прозрачного кремниевого карбида кристаллический оптически с

Просмотр деталей

Вафля кремниевого карбида SIC Кристл

Вафля кремниевого карбида SIC Кристл

Просмотр деталей

ФИКТИВНЫЕ основные субстраты толщины вафли 0.5мм 0.35мм ДСП 4Х-Н/семи сик кремни

ФИКТИВНЫЕ основные субстраты толщины вафли 0.5мм 0.35мм ДСП 4Х-Н/семи сик кремни

Просмотр деталей

2/4/6/8 дюймов Sic Кремниевый карбид Кристальный семенной субстрат 4H-N Тип высо

2/4/6/8 дюймов Sic Кремниевый карбид Кристальный семенной субстрат 4H-N Тип высо

Просмотр деталей

Sic 3C-N Тип Размер Обработка Проводящий тип для радиолокационных систем MPD Нол

Sic 3C-N Тип Размер Обработка Проводящий тип для радиолокационных систем MPD Нол

Просмотр деталей

Найти похожие товары по категориям:

Главная страница поставщика Продукты

MachineU Видеоканал Минералы и металлургия Металлы и изделия из металла Другие металлы и металлопродукция

Контактный поставщик

Сообщение*

Электронная почта*

Телефон или WhatsApp*

Имя

Компания

Требование о предоставлении

Пожалуйста, ответьте мне в течение 24 часов.

Да, я бы хотел получить подтвержденные поставщики!