MLX90316 melexis Датчик положения вращения IC MLX90316KDC-BCG-000 MLX90316KDC-BDG-100-RE с SPI ВЫХОДОМ
MLX90316 melexis Датчик положения вращения IC MLX90316KDC-BCG-000 или MLX90316KDC-BDG-100-RE с SPI ВЫХОДОМ
Особенности и преимущества:
Абсолютный датчик положения вращения IC
Простая и надежная магнитная конструкция
Технология Tria⊗is® Hall
Программируемый угловой диапазон до 360 градусов
Программируемая характеристика линейной передачи
Выбираемый аналоговый (ратиометрический), ШИМ, последовательный протокол
12-битное угловое разрешение - 10-битная угловая температурная точность
40-битный идентификационный номер
Одиночный кристалл – корпус SOIC-8, соответствует RoHS
Двойной кристалл (полностью резервированный) – корпус TSSOP-16, соответствует RoHS
Применения:
Абсолютный датчик положения вращения
Датчик положения рулевого колеса
Датчик положения педали
Датчик положения вала двигателя
Датчик положения дроссельной заслонки
Датчик уровня поплавка
Датчик положения высоты подвески
Бесконтактный потенциометр
Описание:
MLX90316 - это датчик положения вращения Tria⊗is®, обеспечивающий абсолютное угловое положение небольшого дипольного магнита, вращающегося над поверхностью устройства (магнит на конце вала). Благодаря интегрированному магнитоконцентратору (IMC) на своей поверхности, монолитное устройство бесконтактно воспринимает горизонтальную составляющую приложенной плотности магнитного потока. Этот уникальный принцип измерения, примененный к датчику положения вращения, обеспечивает впечатляющую устойчивость углового положения к механическим (воздушный зазор, смещение оси) допускам. Вращение этой горизонтальной составляющей измеряется в широком диапазоне (до 360 градусов - полный оборот) и обрабатывается встроенным DSP (цифровой обработкой сигнала), чтобы в конечном итоге сообщить абсолютное угловое положение магнита либо в виде ратиометрического аналогового выхода, либо в виде сигнала ШИМ (широтно-импульсной модуляции), либо в виде 14-битных данных, доступных через 3-контактный канал SPI (последовательный интерфейс). Характеристика выходной передачи полностью программируется (например, смещение, усиление, уровни ограничения, линейность, температурный дрейф, фильтрация, диапазон...) для соответствия любым конкретным требованиям посредством калибровки в конце линии. Блок программирования Melexis PTC-04 обменивается данными и калибрует устройство исключительно через клеммы разъема (VDD-VSS-OUT).
1. Информация для заказа
| Код продукта | Код температуры | Код корпуса | Код опции | Код формы упаковки |
| MLX90316 | О | DC | BCG-000 | RE |
| MLX90316 | Э | DC | BCG-000 | RE |
| MLX90316 | K | DC | BCG-000 | RE |
| MLX90316 | Л | DC | BCG-000 | RE |
| MLX90316 | Э | GO | BCG-000 | RE |
| MLX90316 | K | GO | BCG-000 | RE |
| MLX90316 | Л | GO | BCG-000 | RE |
| MLX90316 | K | DC | BCG-200 | RE |
| MLX90316 | K | GO | BCG-200 | RE |
| MLX90316 | K | DC | BCG-300 | RE |
| MLX90316 | K | GO | BCG-300 | RE |
| MLX90316 | Э | DC | BDG-100 | RE |
| MLX90316 | K | DC | BDG-100 | RE |
| MLX90316 | Л | DC | BDG-100 | RE |
| MLX90316 | Э | GO | BDG-100 | RE |
| MLX90316 | K | GO | BDG-100 | RE |
| MLX90316 | Л | GO | BDG-100 | RE |
| MLX90316 | Л | GO | BDG-102 | RE |
| MLX90316 | Л | DC | BDG-102 | RE |
| MLX90316 | Л | DC | BCS-000 | RE |
Условные обозначения:
Код температуры: S: от -20 °C до 85 °C
E: от -40 °C до 85 °C
K: от -40 °C до 125 °C
L: от -40 °C до 150 °C
Код корпуса: “DC” для корпуса SOIC-8
“GO” для корпуса TSSOP-16 (двойной кристалл)
Код опции: AAA-xxx: версия кристалла
xxx-000: стандартный
xxx-100: SPI
xxx-102: SPI75AGC, см. раздел 13.4.2
xxx-200: PPA (предварительно запрограммированный аналоговый)
xxx-300: PPD (предварительно запрограммированный цифровой)
Форма упаковки: “RE” для катушки
“TU” для трубки
Пример заказа: MLX90316KDC-BCG-000-TU
Глоссарий терминов
Гаусс (Гс), Тесла (Тл) Единицы измерения плотности магнитного потока - 1 мТл = 10 Гс
TC Tемпературный Cоэффициент (в ppm/°C)
NC Не Cвязанный
ШИМ Сиротно-Импульсная Модуляция
%DC Цкважность Cигнала, т.е. TВКЛ /(TВКЛ + TВЫКЛ)
АЦП Аналого-Цифровая Cреобразователь ЦАП Цифро-Аналоговая Cреобразователь
Младший значащий бит Лладший Оначащий Бит Старший значащий бит Мтарший Оначащий Бит
DNL Цифференциальная Не-Линейность INL Интегральная Не-Линейность
RISC Вменьшенный Иабор Онструкций Cомпьютер
ASP Аналоговая Обработка Сигнала DSP Цифровая Обработка Сигнала
ATAN Тригонометрическая функция: арктангенс (или обратный тангенс) IMC Интегрированный Магнито-Cонцентратор (IMC®)
CoRDiC Координатное Вращение Цифровой Cомпьютер (т.е. итеративное преобразование прямоугольных координат в полярные)
EMC Электро-Магнитная Cовместимость
4. Расположение выводов
| ВЫВОД |
SOIC-8 TSSOP-16 Аналоговый / ШИМ Последовательный протокол Аналоговый / ШИМ Последовательный протокол |
1 VDD VDD VDIG1 VDIG1
2 Test 0 Test 0 VSS1 (Земля1) VSS1 (Земля1)
3 Switch OUT /SS VDD1 VDD1
4 Not Used / OUT 2 (2) SCLK Test 01 Test 01
5 OUT MOSI / MISO Switch OUT2 /SS2
6 Test 1 Test 1 Not Used2 SCLK2
7 VDIG VDIG OUT2 MOSI2 / MISO2
8 VSS (Земля) VSS (Земля) Test 12 Test 12
9 VDIG2 VDIG2
10 VSS2 (Земля2) VSS2 (Земля2)
11 VDD2 VDD2
12 Test 02 Test 02
13 Switch OUT1 /SS1
14 Not Used1 SCLK1
15 OUT1 MOSI1 / MISO1
16 Test 11 Test 11
Для оптимального поведения EMC рекомендуется подключать неиспользуемые выводы (Not Used и Test) к земле.
5. Абсолютные максимальные значения
Параметр Значение
Напряжение питания, VDD (перенапряжение) + 20 В
Защита от обратного напряжения - 10 В
Положительное выходное напряжение – Стандартная версия + 10 В
(Аналоговый или ШИМ) + 14 В (макс. 200 мкс – TA = + 25 °C)
Положительное выходное напряжение – SPI версия VDD + 0,3 В
| Положительное выходное напряжение (Switch Out) |
+ 10 В + 14 В (макс. 200 мкс – TA = + 25 °C) |
Выходной ток (IOUT) ± 30 мА
Обратное выходное напряжение - 0,3 В
Обратный выходной ток - 50 мА
Рабочий диапазон температур окружающей среды, TA - 40 °C … + 150 °C
Диапазон температур хранения, TS - 40 °C … + 150 °C
Плотность магнитного потока ± 700 мТл
Превышение абсолютных максимальных значений может привести к необратимому повреждению. Воздействие абсолютных максимальных
условий в течение длительного времени может повлиять на надежность устройства.
| (Диагностика обрыва дорожки) (7) | BVSSPU |
Обрыв VSS (8) & Подтягивающая нагрузка RL ≥ 1 кОм |
99 100 %VDD | |||||||||||||
| BVDDPD |
Обрыв VDD (8) & Подтягивающая нагрузка RL ≥ 1 кОм |
0 1 %VDD | ||||||||||||||
| BVDDPU |
Обрыв VDD & Подтягивающая нагрузка к 5 В |
Нет диагностики обрыва дорожки %VDD |
||||||||||||||
| Уровень зажатого выхода (9) |
Clamp_lo Программируемый 0 100 %VDD Clamp_hi Программируемый 0 100 %VDD |
|||||||||||||||
| Switch Out (10) |
Sw_lo Подтягивающая нагрузка 1,5 кОм к 5 В 0,55 1,1 В Sw_hi Подтягивающая нагрузка 1,5 кОм к 5 В 3,65 4,35 В |
|||||||||||||||
7. Спецификация изоляции
Рабочие параметры постоянного тока при VDD = 5 В (если не указано иное) и для TA как указано в
Температурный суффикс (S, E, K или L). Действительно только для кода корпуса GO, т.е. версии с двойным кристаллом.
Параметр Символ Условия испытаний Мин Тип Макс Единицы
Сопротивление изоляции между кристаллами 4 МОм
8. Спецификация синхронизации
Рабочие параметры постоянного тока при VDD = 5 В (если не указано иное) и для TA как указано в
Температурный суффикс (S, E, K или L).
Параметр Символ Условия испытаний Мин Тип Макс Единицы
| Основная частота тактирования Ck |
Медленный режим (11) Быстрый режим (11) |
7 20 |
МГц МГц |
|||||||||||||
| Частота дискретизации |
Медленный режим (11) Быстрый режим (11) |
600 200 |
мкс мкс |
|||||||||||||
| Время отклика на шаг Ts |
4 600 |
мс мкс |
||||||||||||||
Watchdog Wd См. раздел 14 5 мс
Цикл запуска Tsu Медленный и быстрый режим (11) 15 мс
| Скорость нарастания аналогового выхода |
COUT = 42 нФ COUT = 100 нФ |
200 100 |
В/мс В/мс |
Частота ШИМ FШИМ ШИМ выход включен 100 1000 Гц
| Время нарастания цифрового выхода |
Режим 5 – 10 нФ, RL = 10 кОм Режим 7 – 10 нФ, RL = 10 кОм |
120 2.2 |
мкс мкс |
|||||
| Время спада цифрового выхода |
Режим 5 – 10 нФ, RL = 10 кОм Режим 7 – 10 нФ, RL = 10 кОм |
1.8 1.9 |
мкс мкс |
|||||
Информация о корпусе:

