Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Active Member
2 Годы
guangdong, dongguan
С тех пор 2012
Меню
Меню
Главная страница поставщика
Категории продукции
Показать все продукты
Инвертор IGBT
IGBT высокой мощности
MOSFET наивысшей мощности
Сверхсоединение MOSFET
МОП-транзистор низкого напряжения
Высоковольтный MOSFET
Диоды барьера Schottky
Диоды быстрого восстановления
Низкий VF Schottky
Полупроводники высокой мощности
МОП-транзистор из карбида кремния
Силиконовый карбид SBD
Профиль компании
Контроль качества
Свяжитесь с нами
Главная страница поставщика > Продукты

Категории продуктов

Инвертор IGBT

 (39)

IGBT высокой мощности

 (51)

MOSFET наивысшей мощности

 (51)

Сверхсоединение MOSFET

 (51)

МОП-транзистор низкого напряжения

 (84)

Высоковольтный MOSFET

 (59)

Диоды барьера Schottky

 (82)

Диоды быстрого восстановления

 (51)

Низкий VF Schottky

 (66)

Полупроводники высокой мощности

 (28)

МОП-транзистор из карбида кремния

 (21)

Силиконовый карбид SBD

 (21)

Контактная информация

Основная информация

Контактное лицо: Qinqin
Наименование компании: Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Местонахождение компании: Нет, нет, нет.7Синь Ронг-роуд, город Ши Чжи, город Донгуань, провинция Гуандун, Китай
Местонахождение завода: Нет, нет, нет.7Синь Ронг-роуд, город Ши Чжи, город Донгуань, провинция Гуандун, Китай
Количество работников: >200
Бренды: LX

Некоторые рекомендации для вас

Низкая обратная передача мощности высокой мощности Мосфет для адаптера питания
MOSFET наивысшей мощности

Низкая обратная передача мощности высокой мощности Мосфет для адаптера питания
Место происхождения：Китай
Минимальное количество заказов：Согласно вашему заказу
Свяжитесь сейчас
Низкий Ciss MOSFET высокой мощности идеально подходит для коррекции фактора мощности
MOSFET наивысшей мощности

Низкий Ciss MOSFET высокой мощности идеально подходит для коррекции фактора мощности
Место происхождения：Китай
Минимальное количество заказов：Согласно вашему заказу
Свяжитесь сейчас
N-канал MOSFET высокой мощности 7A 600V 530mΩ для солнечных инверторов
MOSFET наивысшей мощности

N-канал MOSFET высокой мощности 7A 600V 530mΩ для солнечных инверторов
Номер модели：LC65R600F
Место происхождения：Китай
Свяжитесь сейчас
Низкое сопротивление высокой мощности MOSFET 15A 600V 238mΩ для светодиодных драйверов
MOSFET наивысшей мощности

Низкое сопротивление высокой мощности MOSFET 15A 600V 238mΩ для светодиодных драйверов
Номер модели：LC65R280F
Место происхождения：Китай
Свяжитесь сейчас
Ультранизкий Qgd высокомощный MOSFET TO-252 15A 650V 230mΩ для питания переменным током
MOSFET наивысшей мощности

Ультранизкий Qgd высокомощный MOSFET TO-252 15A 650V 230mΩ для питания переменным током
Номер модели：LCS65R280D
Место происхождения：Китай
Свяжитесь сейчас
Контактный поставщик
Требование о предоставлении