субстраты Кристл вафли 2inch 3inch 4inch InAs N типа на MBE 99,9999% Monocrystalline
 

Введите субстрата InAs

Индий InAs или mono-арсенид индия полупроводник составленный индия и мышьяка. Он имеет возникновение серого кубического кристалла с точкой плавления арсенида индия 942°C. использован для того чтобы построить ультракрасные детекторы с диапазоном длины волны 1-3.8um. Детектор обычно фотовольтайческий фотодиод. Криогенные охлаждая детекторы имеют малошумное, но детекторы InAs можно также использовать для высокомощных применений на комнатной температуре. Арсенид индия также использован для того чтобы сделать лазеры диода. Арсенид индия подобен арсениду галлия и сразу материал зазора диапазона. Арсенид индия иногда использован с фосфидом индия. Сплав с арсенидом галлия для того чтобы сформировать мышьяк индия - материал которого зазор диапазона зависит от коэффициента In/Ga. Этот метод главным образом подобен сплавляя нитриду индия с нитридом галлия для произведения нитрида индия. Арсенид индия известен за свои высокая подвижность электрона и узкополосный зазор. Он широко использован как источник радиации terahertz потому что это сильный излучатель свет-Амбер.

Особенности вафли InAs:

* с высоким коэффициентом подвижности электрона и подвижности (μe/μh=70), идеальный материал для приборов Hall.

* MBE можно вырасти с материалами GaAsSb, InAsPSb, и InAsSb мульти-эпитаксиальными.

* жидкостный герметизируя метод (CZ), обеспечивает что очищенность материала может достигнуть 99,9999% (6N).

* все субстраты точно отполированы и заполнены с защитной атмосферой для того чтобы соотвествовать Epi-готового.

* выбор направления Кристл: Другое кристаллическое направление доступно, например (110).

* оптически методы измерения, как ellipsometry, обеспечивают чистую поверхность на каждом субстрате.