MachineU > Китайские продукты > Минералы и металлургия > Железо и изделия из железа > Магнитные материалы
Дюйм 4Inch n VGF 2/тип субстрат p полупроводника вафли GaAs для эпитаксиального роста
Дюйм 4Inch n VGF 2/тип субстрат p полупроводника вафли GaAs для эпитаксиального роста
Дюйм 4Inch n VGF 2/тип субстрат p полупроводника вафли GaAs для эпитаксиального роста
Дюйм 4Inch n VGF 2/тип субстрат p полупроводника вафли GaAs для эпитаксиального роста
Дюйм 4Inch n VGF 2/тип субстрат p полупроводника вафли GaAs для эпитаксиального роста
Дюйм 4Inch n VGF 2/тип субстрат p полупроводника вафли GaAs для эпитаксиального роста
Спецификации
Номер модели :
Субстрат GaAs
Место происхождения :
CN
Количество минимального заказа :
3PCS
Условия оплаты :
T/T, западное соединение
Срок поставки :
4-6weeks
Упаковывая детали :
одиночный контейнер вафли под комнатой чистки
Материал :
Вафля субстрата GaAs
Размер :
2inch 3inch 4inch 6inch
Метод роста :
ВГФ
EPD :
<500>
Легирующая примесь :
Si-данное допинг Zn-данное допинг undoped
TTV DDP :
5um
TTV SSP :
10um
ориентация :
100+/-0.1 градуса
Описание

Тип тип субстрат дюйма 4Inch n VGF 2 p полупроводника вафли GaAs для эпитаксиального роста

 

Вафля GaAs ранга VGF 2inch 4inch 6inch n типа основная для эпитаксиального роста

Арсенид галлия можно сделать в полу-изолировать высокоомные материалы с резистивностью больше чем 3 порядка величины высокий чем кремний и германий, который использованы для того чтобы сделать субстраты интегральной схемаы, ультракрасные детекторы, детекторы фотона гаммы, etc. потому что своя подвижность электрона 5 к 6 раз большой чем это из кремния, оно имеет важные применения в изготовлении приборов микроволны и высокоскоростных вычислительных цепей. Арсенид галлия сделанный из арсенида галлия можно сделать в полу-изолировать высокоомные материалы с резистивностью больше чем 3 порядков величины более высоко чем кремний и германий, которые использованы для того чтобы сделать субстраты интегральной схемаы и ультракрасные детекторы.

1. Применение арсенида галлия в оптической электронике

2. Применение арсенида галлия в микроэлектронике

3. Применение арсенида галлия в сообщении

4. Применение арсенида галлия в микроволне

5. Применение арсенида галлия в фотоэлементах

Спецификация вафель GaAs

       
Тип/Dopant Полу-изолированный P-Type/Zn N-Type/Si N-Type/Si
Применение Микро- Eletronic СИД Лазерный диод
Метод роста VGF
Диаметр 2", 3", 4", 6"
Ориентация (100) ±0.5°
Толщина (µm) 350-625um±25um
OF/IF США EJ или зазубрина
Концентрация несущей - (0.5-5) *1019 (0.4-4) *1018 (0.4-0.25) *1018
Резистивность (ом-см) >107 (1.2-9.9) *10-3 (1.2-9.9) *10-3 (1.2-9.9) *10-3
Подвижность (cm2/V.S.) >4000 50-120 >1000 >1500
Вытравите плотность тангажа (/cm2) <5000><5000><5000><500>
TTV [P/P] (µm) <5>
TTV [P/E] (µm) <10>
Искривление (µm) <10>
Законченное поверхностное P/P, P/E, E/E
Примечание: Другие спецификации могут быть доступны по требованию
 

Арсенид галлия самый важный и широко использовать материал полупроводника в сложных полупроводниках, и также самый зрелый и самый большой материал сложного полупроводника в продукции в настоящее время.

Приборы арсенида галлия которые были использованы являются следующими:

  • Диод микроволны, диод Gunn, диод варактора, etc.
  • Транзисторы микроволны: транзистор влияния поля (FET), высокий транзистор подвижности электрона (HEMT), транзистор гетероперехода двухполярный (HBT), etc.
  • Интегральная схемаа: интегральная схемаа микроволны монолитовая (MMIC), ультравысокая интегральная схемаа скорости (VHSIC), etc.
  • Компоненты Hall, etc.
    •  
  • Ультракрасный светоизлучающий диод (СИД инфракрасн); Видимый светоизлучающий диод (СИД, используемое как субстрат);
  • Лазерный диод (LD);
  • Светлый детектор;
  • Фотоэлемент высокой эффективности;

Дюйм 4Inch n VGF 2/тип субстрат p полупроводника вафли GaAs для эпитаксиального ростаДюйм 4Inch n VGF 2/тип субстрат p полупроводника вафли GaAs для эпитаксиального ростаДюйм 4Inch n VGF 2/тип субстрат p полупроводника вафли GaAs для эпитаксиального роста

Отправьте сообщение этому поставщику
Отправляй сейчас

Дюйм 4Inch n VGF 2/тип субстрат p полупроводника вафли GaAs для эпитаксиального роста

Спросите последнюю цену
Подробная информация о продукте
Номер модели :
Субстрат GaAs
Место происхождения :
CN
Количество минимального заказа :
3PCS
Условия оплаты :
T/T, западное соединение
Срок поставки :
4-6weeks
Упаковывая детали :
одиночный контейнер вафли под комнатой чистки
Контактный поставщик
Дюйм 4Inch n VGF 2/тип субстрат p полупроводника вафли GaAs для эпитаксиального роста
Дюйм 4Inch n VGF 2/тип субстрат p полупроводника вафли GaAs для эпитаксиального роста
Дюйм 4Inch n VGF 2/тип субстрат p полупроводника вафли GaAs для эпитаксиального роста

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
7 Годы
shanghai, shanghai
С тех пор 2013
Вид деятельности :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Основные продукты :
субстрат сапфира, Сапфир оптически Виндовс, Вафля кремниевого карбида
Общее годовое :
1000000-1500000
Уровень сертификации :
Verified Supplier
Узнайте о аналогичных продуктах
Смотрите больше

Найти похожие товары по категориям:

Главная страница поставщика Продукты Субстрат полупроводника
MachineU Китайские продукты Минералы и металлургия Железо и изделия из железа Магнитные материалы
Контактный поставщик
Требование о предоставлении