8 дюймов 12 дюймов 4H-N типа SiC толщина пластины 500±25um n допированный манекен первичного исследовательского класса

8-дюймовый 12-дюймовый 4H-N типа Си-Си-Вейфер абстракт

В данном исследовании представлена характеристика 8-дюймовой 12-дюймовой пластины из карбида кремния (SiC) типа H-N, предназначенной для применения в полупроводниках.изготовлено с использованием самых современных технологий и наполнено примесями типа nДля оценки качества кристаллов, морфологии поверхности были использованы методы характеристики, включая рентгеновскую дифракцию (XRD), сканирующую электронную микроскопию (SEM) и измерения эффекта Холла.и электрические свойства пластиныАнализ XRD подтвердил структуру политипа 4H SiC-вофры, в то время как SEM-изображение показало равномерную и бездефектную морфологию поверхности.Измерения эффекта Холла показали постоянный и контролируемый уровень допинга n-типа по всей поверхности пластиныРезультаты показывают, что 8-дюймовый 4H-N SiC-вофлер имеет многообещающие характеристики для использования в высокопроизводительных полупроводниковых устройствах.особенно для применений, требующих высокой мощности и высокой температурыДля полного использования потенциала этой материальной платформы необходимы дальнейшие исследования по оптимизации и интеграции устройств.

8 дюймовые 12 дюймовые 4H-N типа свойства SiC Wafer

1. Кристаллическая структура: имеет шестиугольную кристаллическую структуру с политипом 4H, обеспечивая благоприятные электронные свойства для применения в полупроводниках.

2. Диаметр пластинки: 8 дюймов, обеспечивая большую площадь поверхности для изготовления устройства и масштабируемости.

3. Толщина пластины: обычно 500±25 мкм, обеспечивая механическую стабильность и совместимость с процессами производства полупроводников.

4. Допинг: допинг N-типа, при котором атомы азота намеренно вводятся в качестве примесей для создания избытка свободных электронов в кристаллической решетке.

5. Электрические свойства:

   • Высокая мобильность электронов, что позволяет эффективно транспортировать заряд.
   • Низкое электрическое сопротивление, облегчающее провождение электричества.
   • Контролируемый и равномерный профиль допинга по всей поверхности пластины.

6. Чистота материала: высокая чистота SiC-материала, с низким уровнем примесей и дефектов, обеспечивающих надежную производительность устройства и долговечность.

7. Морфология поверхности: гладкая и свободная от дефектов морфология поверхности, подходящая для эпитаксиального роста и процессов изготовления устройств.

8. Тепловые свойства: высокая теплопроводность и стабильность при повышенных температурах, что делает его подходящим для применения при высокой мощности и высокой температуре.

9. Оптические свойства: энергия широкого диапазона и прозрачность в видимом и инфракрасном спектре, что позволяет интегрировать оптоэлектронные устройства.

10. Механические свойства:

    • Высокая механическая прочность и твердость, обеспечивающая долговечность и устойчивость во время обработки и обработки.
    • Низкий коэффициент теплового расширения, снижающий риск трещин, вызванных тепловым напряжением во время цикла температуры.

      Число	Положение	Единица	Производство	Исследования	Глупец.
      1	политип		4 часа	4 часа	4 часа
      2	ориентация поверхности	°	<11-20>4±0.5	<11-20>4±0.5	<11-20>4±0.5
      3	допирующее средство		Азот n-типа	Азот n-типа	Азот n-типа
      4	сопротивляемость	Омм · см	0.015 ~ 0.025	0.01 ~ 0.03
      5	диаметр	мм	200±0,2 300	200±0,2 300	200±0,2 300
      6	толщина	мм	500±25 1000±50	500±251000±50	500±251000±50
      7	Ориентация на выемку	°	[1- 100]±5	[1- 100]±5	[1- 100]±5
      8	Глубина вырезки	мм	1 - 1.5	1 - 1.5	1 - 1.5
      9	ЛТВ	мм	≤ 5 ((10 мм × 10 мм)	≤ 5 ((10 мм × 10 мм)	≤10 ((10 мм × 10 мм)
      10	TTV	мм	≤ 10	≤ 10	≤ 15
      11	Поклонитесь.	мм	25 ~ 25	45 ~ 45	65 ~ 65
      12	Варп	мм	≤ 30	≤ 50	≤ 70

8 дюймов 12 дюймов 4H-N типа SiC Wafer изображение

8 дюймов 12 дюймов 4H-N типа SiC вафель применение

Электротехника: SiC-вофы широко используются в производстве силовых устройств, таких как диоды Шоттки, MOSFET (транзисторы с полевым эффектом металлического оксида-полупроводника),и IGBT (изолированные биполярные транзисторы)Эти устройства пользуются высоким разрывным напряжением SiC, низким сопротивлением при работе и высокой температурой, что делает их подходящими для применения в электромобилях,системы возобновляемой энергии, и системы распределения электроэнергии.

РЧ и микроволновые устройства: SiC-волны используются в разработке высокочастотных RF (радиочастотных) и микроволновых устройств из-за их высокой электронной подвижности и теплопроводности.Приложения включают усилители высокой мощности, радиочастотные коммутаторы и радиолокационные системы, где преимущества SiC позволяют эффективно управлять энергией и работать на высокой частоте.

Оптоэлектроника: SiC-олочки используются при изготовлении оптоэлектронных устройств, таких как ультрафиолетовые фотодетекторы (УФ), светоизлучающие диоды (ЛЭД) и лазерные диоды.Широкий диапазон пропускания SiC и оптическая прозрачность в УФ-диапазоне делают его подходящим для применения в ультрафиолетовых детекторах, ультрафиолетовую стерилизацию и высокояркие ультрафиолетовые светодиоды.

Высокотемпературная электроника: Сиркокарбонатные пластины предпочтительны для электронных систем, работающих в суровых условиях или при повышенных температурах.и автомобильных двигателей системы управления, где тепловая устойчивость и надежность SiC позволяют работать в экстремальных условиях.

Технология датчиков: SiC-олочки используются при разработке высокопроизводительных датчиков для таких приложений, как датчики температуры, датчики давления и датчики газов.Датчики на основе SiC предлагают такие преимущества, как высокая чувствительность, быстрое время отклика и совместимость с суровыми условиями, что делает их подходящими для промышленного, автомобильного и аэрокосмического применения.