MachineU > Китайские продукты > Химикаты > Неорганические химикаты > Неметаллические продукты > Огнеупорный
4Inch основная вафля кремниевого карбида ранга 4H-N 1.5mm SIC
4Inch основная вафля кремниевого карбида ранга 4H-N 1.5mm SIC
4Inch основная вафля кремниевого карбида ранга 4H-N 1.5mm SIC
4Inch основная вафля кремниевого карбида ранга 4H-N 1.5mm SIC
4Inch основная вафля кремниевого карбида ранга 4H-N 1.5mm SIC
4Inch основная вафля кремниевого карбида ранга 4H-N 1.5mm SIC
Спецификации
Номер модели :
Подгонянный размер
Место происхождения :
Китай
Количество минимального заказа :
10пкс
Условия оплаты :
Т/Т, западное соединение, МонейГрам
Способность поставки :
1-50пкс/монтх
Срок поставки :
1-6векс
Упаковывая детали :
одиночный пакет вафли в комнате чистки 100 рангов
Материал :
Кристалл 4h-N SiC одиночный
Ранг :
Ранг продукции
Thicnkss :
1.5mm
Suraface :
как-отрезок
Применение :
кристалл семени
Диаметр :
4Inch
Цвет :
Зеленый цвет
MPD :
<2cm-2>
Описание

Вафли ранга 4H-N 1.5mm SIC wafersProduction 4inch sic как-отрезка субстратов wafersS/Customzied одиночного кристалла кремниевого карбида dia 150mm слитков Customzied size/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC/особой чистоты 4H-N 4inch 6inch (sic) для кристалла семени

Около кремниевый карбид (SiC) Кристл

 

Кремниевый карбид (SiC), также известный как карборунд, полупроводник содержа кремний и углерод с химической формулой SiC. SiC использован в приборах электроники полупроводника которые работают в условиях высоких температур или высокие напряжения тока, или both.SiC также один из важных компонентов СИД, это популярный субстрат для расти приборы GaN, и оно также служит как распространитель жары в высокомощном СИД.

 

1. Описание
Свойство 4H-SiC, одиночное Кристл 6H-SiC, одиночное Кристл
Параметры решетки a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Штабелировать последовательность ABCB ABCACB
Твердость Mohs ≈9.2 ≈9.2
Плотность 3,21 g/cm3 3,21 g/cm3
Therm. Коэффициент расширения 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Индекс @750nm рефракции

отсутствие = 2,61
ne = 2,66

отсутствие = 2,60
ne = 2,65
Диэлектрическая константа c~9.66 c~9.66
ohm.cm термальной проводимости (N типа, 0,02)

a~4.2 W/cm·K@298K
c~3.7 W/cm·K@298K

  
Термальная проводимость (Полу-изолировать)

a~4.9 W/cm·K@298K
c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K
c~3.2 W/cm·K@298K
Диапазон-зазор eV 3,23 eV 3,02
Поле нервного расстройства электрическое 3-5×106V/cm 3-5×106V/cm
Дрейфовая скорость сатурации 2.0×105m/s 2.0×105m/s

4Inch основная вафля кремниевого карбида ранга 4H-N 1.5mm SIC

Спецификация субстрата кремниевого карбида диаметра 4H-N 4inch (SiC)

 
спецификация субстрата кремниевого карбида диаметра 2inch (SiC)  
Ранг Нул рангов MPD Ранг продукции Ранг исследования Фиктивная ранг  
 
Диаметр 100. mm±0.38mm  
 
Толщина 350 μm±25μm или 500±25um или другой подгонянной толщина 
 
Ориентация вафли С оси: 4.0° к <1120> ±0.5° для 4H-N/4H-SI на оси: <0001> ±0.5° для 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI  
 
Плотность Micropipe см-2 ≤0 см-2 ≤2 ≤5cm-2 см-2 ≤30  
 
Резистивность 4H-N 0.015~0.028 Ω•см  
 
6H-N 0.02~0.1 Ω•см  
 
4/6H-SI ≥1E5 Ω·см  
 
Основная квартира {10-10} ±5.0°  
 
Основная плоская длина 18,5 mm±2.0 mm  
 
Вторичная плоская длина 10.0mm±2.0 mm  
 
Вторичная плоская ориентация Кремний лицевой: 90° CW. от основного плоского ±5.0°  
 
Исключение края 1 mm  
 
TTV/Bow /Warp ≤10μm/≤10μm/≤15μm  
 
Шершавость Польское Ra≤1 nm  
 
CMP Ra≤0.5 nm  
 
Отказы светом высокой интенсивности Никакие 1 позволенный, ≤2 mm Кумулятивное ≤ 10mm длины, одиночное length≤2mm  
 
 
Плиты наговора светом высокой интенсивности Кумулятивная область ≤1% Кумулятивная область ≤1% Кумулятивная область ≤3%  
 
Зоны Polytype светом высокой интенсивности Никакие Кумулятивная область ≤2% Кумулятивная область ≤5%  
 
 
Царапины светом высокой интенсивности 3 царапины к длине диаметра 1×wafer кумулятивной 5 царапин к длине диаметра 1×wafer кумулятивной 5 царапин к длине диаметра 1×wafer кумулятивной  
 
 
обломок края Никакие 3 позволенного, ≤0.5 mm каждое 5 позволенных, ≤1 mm каждое  

 

Шоу дисплея продукции

 
4Inch основная вафля кремниевого карбида ранга 4H-N 1.5mm SIC
4Inch основная вафля кремниевого карбида ранга 4H-N 1.5mm SIC4Inch основная вафля кремниевого карбида ранга 4H-N 1.5mm SIC
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
КАТАЛОГ   ОБЩИЙ РАЗМЕР   В НАШЕМ СПИСКЕ ИНВЕНТАРЯ
  
 

 

 

Тип 4H-N/вафля/слитки SiC особой чистоты
2 вафля/слитки дюйма 4H N типа SiC
3 вафля дюйма 4H N типа SiC
4 вафля/слитки дюйма 4H N типа SiC
6 вафля/слитки дюйма 4H N типа SiC

4H Полу-изолируя/вафля SiC особой чистоты

2 дюйма 4H Полу-изолируя вафлю SiC
3 дюйма 4H Полу-изолируя вафлю SiC
4 дюйма 4H Полу-изолируя вафлю SiC
6 дюймов 4H Полу-изолируя вафлю SiC
 
 
вафля 6H N типа SiC
2 вафля/слиток дюйма 6H N типа SiC
 
 Размер Customzied для 2-6inch
 
 

Применения SiC

 

Зоны применения

  • 1 диод высокочастотных и наивысшей мощности электронных устройств Schottky, JFET, BJT, PiN,
  • диоды, IGBT, MOSFET
  • 2 электронно-оптических прибора: главным образом использованный в СИД материала субстрата СИД GaN/SiC голубом (GaN/SiC)

>Упаковка – Logistcs
мы относимся каждое детали пакета, чистка, противостатическая, шоковая терапия.

Согласно количеству и форме продукта, мы примем различный упаковывая процесс! Почти одиночными кассетами вафли или кассетой 25pcs в комнате чистки 100 рангов.

 

Отправьте сообщение этому поставщику
Отправляй сейчас

4Inch основная вафля кремниевого карбида ранга 4H-N 1.5mm SIC

Спросите последнюю цену
Подробная информация о продукте
Номер модели :
Подгонянный размер
Место происхождения :
Китай
Количество минимального заказа :
10пкс
Условия оплаты :
Т/Т, западное соединение, МонейГрам
Способность поставки :
1-50пкс/монтх
Срок поставки :
1-6векс
Контактный поставщик
4Inch основная вафля кремниевого карбида ранга 4H-N 1.5mm SIC
4Inch основная вафля кремниевого карбида ранга 4H-N 1.5mm SIC
4Inch основная вафля кремниевого карбида ранга 4H-N 1.5mm SIC

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
7 Годы
shanghai, shanghai
С тех пор 2013
Вид деятельности :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Основные продукты :
субстрат сапфира, Сапфир оптически Виндовс, Вафля кремниевого карбида
Общее годовое :
1000000-1500000
Уровень сертификации :
Verified Supplier
Узнайте о аналогичных продуктах
Смотрите больше

Найти похожие товары по категориям:

Главная страница поставщика Продукты Вафля кремниевого карбида
MachineU Китайские продукты Химикаты Неорганические химикаты Неметаллические продукты Огнеупорный
Контактный поставщик
Требование о предоставлении