MachineU > Китайские продукты > Минералы и металлургия > Цветной металл > Слитки > Слитки кремния
Толстое 650um субстрат полупроводника InP одиночного Кристл 4 дюймов
Толстое 650um субстрат полупроводника InP одиночного Кристл 4 дюймов
Толстое 650um субстрат полупроводника InP одиночного Кристл 4 дюймов
Толстое 650um субстрат полупроводника InP одиночного Кристл 4 дюймов
Толстое 650um субстрат полупроводника InP одиночного Кристл 4 дюймов
Толстое 650um субстрат полупроводника InP одиночного Кристл 4 дюймов
Толстое 650um субстрат полупроводника InP одиночного Кристл 4 дюймов
Толстое 650um субстрат полупроводника InP одиночного Кристл 4 дюймов
Толстое 650um субстрат полупроводника InP одиночного Кристл 4 дюймов
Толстое 650um субстрат полупроводника InP одиночного Кристл 4 дюймов
Спецификации
Номер модели :
InP
Место происхождения :
Китай
Количество минимального заказа :
3ПКС
Условия оплаты :
Т/Т, западное соединение
Способность поставки :
500пкс
Срок поставки :
2-4векс
Упаковывая детали :
одиночный пакет вафли в комнате чистки 1000 рангов
Материал :
InP
метод роста :
vFG
Размер :
2~ 4 ДЮЙМА
Толщина :
350-650um
Применение :
Материал полупроводника bandgap III-V сразу
Поверхность :
ssp/dsp
ПАКЕТ :
одиночная коробка вафли
Описание

ТИП субстрат S+/данное допинг вафлями Zn+ /Fe вафель 3inch 4inch N/P InP 2inch полупроводника InP +

 

рост (доработанный метод VFG) использован для того чтобы вытянуть одиночный кристалл через борную жидкость окиси encapsulant старт с семенем.

Dopant (Fe, s, Sn или Zn) добавлен к тиглю вместе с polycrystal. Высокое давление приложено внутри камеры предотвратить декомпозицию компании индия Phosphide.he начинало процесс для того чтобы произвести кристалл полностью stoechiometric, особой чистоты и низкой плотности дислокации inP одиночный.

Метод VFG улучшает на спасибо метода LEC термальная технология дефлектора в связи с численным

моделирование термальных условий роста. tCZ рентабельная зрелая технология с высококачественной воспроизводимостью от boule к boule.

 

Применения:
IIt имеет преимущества высокой электронной скорости смещения предела, хорошего сопротивления радиации и хорошей кондукции жары. Соответствующий для приборов изготовлять высокочастотных, высокоскоростных, высокомощных микроволны и интегральных схема.

 

Особенности:
1. Кристалл растется жидкост-загерметизированной технологией прям-чертежа (LEC), со зрелой технологией и стабилизированным электрическим представлением.
2, используя аппаратуру рентгеновского снимка дирекционную для точной ориентации, отступление ориентировки кристаллов только ±0.5°
3, вафля отполированы химической механической полируя (CMP) технологией, шероховатость поверхности <0> 4, для того чтобы достигнуть «открытой коробки готовой для использования» требований
5, согласно требованиям к потребителя, особенная обработка продукта спецификаций

 

Толстое 650um субстрат полупроводника InP одиночного Кристл 4 дюймов

Толстое 650um субстрат полупроводника InP одиночного Кристл 4 дюймов

Толстое 650um субстрат полупроводника InP одиночного Кристл 4 дюймов

   
             
размер (mm) Dia50.8x0.5mm, 10×10×0.5mm, 10×5×0.5mm можно подгонять
Ра Шероховатость поверхности (Ра):<>
блеск одиночный или двойник встаньте на сторону отполированный
пакет полиэтиленовый пакет чистки 100 рангов в 1000 очищая комнатах

 

Толстое 650um субстрат полупроводника InP одиночного Кристл 4 дюймовТолстое 650um субстрат полупроводника InP одиночного Кристл 4 дюймов

---вопросы и ответы –

Q: Вы торговая компания или изготовитель?

: zmkj торговая компания но имеет изготовитель сапфира
 как поставщик вафель материалов полупроводника для широкой пяди применений.

Q: Сколько времени ваш срок поставки?

: Вообще 5-10 дней если товары в запасе. или 15-20 дней если товары нет

в запасе, оно согласно количеству.

Q: Вы обеспечиваете образцы? он свободно или дополнительные?

: Да, мы смогли предложить обязанность образца бесплатно но не оплачиваем цену перевозки.

Q: Что ваши условия платежа?

: Payment=1000USD<>,
50% T/T заранее, баланс перед пересылкой.
Если вы имеете другой вопрос, то pls чувствуют свободными связаться мы как ниже:

Отправьте сообщение этому поставщику
Отправляй сейчас

Толстое 650um субстрат полупроводника InP одиночного Кристл 4 дюймов

Спросите последнюю цену
Подробная информация о продукте
Номер модели :
InP
Место происхождения :
Китай
Количество минимального заказа :
3ПКС
Условия оплаты :
Т/Т, западное соединение
Способность поставки :
500пкс
Срок поставки :
2-4векс
Контактный поставщик
Толстое 650um субстрат полупроводника InP одиночного Кристл 4 дюймов
Толстое 650um субстрат полупроводника InP одиночного Кристл 4 дюймов
Толстое 650um субстрат полупроводника InP одиночного Кристл 4 дюймов
Толстое 650um субстрат полупроводника InP одиночного Кристл 4 дюймов
Толстое 650um субстрат полупроводника InP одиночного Кристл 4 дюймов

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
7 Годы
shanghai, shanghai
С тех пор 2013
Вид деятельности :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Основные продукты :
, ,
Общее годовое :
1000000-1500000
Уровень сертификации :
Verified Supplier
Узнайте о аналогичных продуктах
Смотрите больше
Смотреть связанные видео

Найти похожие товары по категориям:

Главная страница поставщика Продукты
MachineU Китайские продукты Минералы и металлургия Цветной металл Слитки Слитки кремния
Контактный поставщик
Требование о предоставлении