MachineU > Китайские продукты > Минералы и металлургия > Металлы и изделия из металла > цементированный карбид
Субстрат кремниевого карбида толщины 0.5mm 10x10mm HPSI
Субстрат кремниевого карбида толщины 0.5mm 10x10mm HPSI
Субстрат кремниевого карбида толщины 0.5mm 10x10mm HPSI
Субстрат кремниевого карбида толщины 0.5mm 10x10mm HPSI
Субстрат кремниевого карбида толщины 0.5mm 10x10mm HPSI
Субстрат кремниевого карбида толщины 0.5mm 10x10mm HPSI
Субстрат кремниевого карбида толщины 0.5mm 10x10mm HPSI
Субстрат кремниевого карбида толщины 0.5mm 10x10mm HPSI
Спецификации
Номер модели :
5кс5мм
Место происхождения :
Китай
Количество минимального заказа :
20 ПК
Условия оплаты :
Т/Т, западное соединение, МонейГрам
Способность поставки :
1-50пкс/монтх
Срок поставки :
1-6векс
Упаковывая детали :
одиночный пакет вафли в комнате чистки 100 рангов
Материал :
Кристалл HPSI SiC одиночный
Ранг :
Ранг продукции
Тхикнксс :
0.5мм
Сурафасе :
двойная отполированная сторона
Применение :
тест создателя прибора полируя
Диаметр :
5X5mmt
Резистивность :
> 1E7 Ω.cm
Описание

 

подгонянная особая чистота размера 10x10mm 5*5mm ООН-дала допинг тесту исследования оптики forquantum вафель HPSI SIC

 

Около кремниевый карбид (SiC) Кристл

 

Кремниевый карбид (SiC), также известный как карборунд, полупроводник содержа кремний и углерод с химической формулой SiC. SiC использован в приборах электроники полупроводника которые работают в условиях высоких температур или высокие напряжения тока, или both.SiC также один из важных компонентов СИД, это популярный субстрат для расти приборы GaN, и оно также служит как распространитель жары в высокомощном СИД.

 
1. Описание
Свойство 4H-SiC, одиночное Кристл 6H-SiC, одиночное Кристл
Параметры решетки a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Штабелировать последовательность ABCB ABCACB
Твердость Mohs ≈9.2 ≈9.2
Плотность 3,21 g/cm3 3,21 g/cm3
Therm. Коэффициент расширения 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Индекс @750nm рефракции

отсутствие = 2,61

ne = 2,66

отсутствие = 2,60

ne = 2,65
Диэлектрическая константа c~9.66 c~9.66
ohm.cm термальной проводимости (N типа, 0,02)

a~4.2 W/cm·K@298K

c~3.7 W/cm·K@298K

  
Термальная проводимость (Полу-изолировать)

a~4.9 W/cm·K@298K

c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K

c~3.2 W/cm·K@298K
Диапазон-зазор eV 3,23 eV 3,02
Поле нервного расстройства электрическое 3-5×106V/cm 3-5×106V/cm
Дрейфовая скорость сатурации 2.0×105m/s 2.0×105m/s

 

Субстрат кремниевого карбида толщины 0.5mm 10x10mm HPSI

Стандартные технические условия для вафель sic

 

Спецификация субстрата кремниевого карбида диаметра ранга 4inch кристалла семени 4H-N (SiC)

Субстрат кремниевого карбида толщины 0.5mm 10x10mm HPSI

Шоу продукта:

 

Субстрат кремниевого карбида толщины 0.5mm 10x10mm HPSI

Субстрат кремниевого карбида толщины 0.5mm 10x10mm HPSI

 
КАТАЛОГ   ОБЩИЙ РАЗМЕР
                            
 

 

Тип 4H-N/вафля/слитки SiC особой чистоты
2 вафля/слитки дюйма 4H N типа SiC
3 вафля дюйма 4H N типа SiC
4 вафля/слитки дюйма 4H N типа SiC
6 вафля/слитки дюйма 4H N типа SiC

 

4H Полу-изолируя/вафля SiC особой чистоты

2 дюйма 4H Полу-изолируя вафлю SiC
3 дюйма 4H Полу-изолируя вафлю SiC
4 дюйма 4H Полу-изолируя вафлю SiC
6 дюймов 4H Полу-изолируя вафлю SiC
 
 
вафля 6H N типа SiC
2 вафля/слиток дюйма 6H N типа SiC

 
 Размер Customzied для 2-6inch
 
 

О ZMKJ Компании

 

ZMKJ может снабжает высококачественную одиночную кристаллическую вафлю SiC (кремниевый карбид) электронная и электронно-оптическая индустрия. Вафля SiC материал полупроводника следующего поколени, с уникальными электрическими свойствами и превосходные термальные свойства, сравненные к кремниевой пластине и вафле GaAs, вафля SiC более соответствующие для применения прибора высокой температуры и наивысшей мощности. Вафлю SiC можно поставить в дюйме диаметра 2-6, и 4H и 6H SiC, N типа, данный допинг азот, и полу-изолируя тип доступный. Пожалуйста свяжитесь мы для больше информации о продукте.

 

вопросы и ответы:

Q: Что путь доставки и цены?

: (1) мы признаваем DHL, Federal Express, EMS etc.

(2) оно отлично если вы имеете ваш собственный срочный счет, то если не, мы смогли помочь вам грузить их и

Перевозка в соответствии с фактическим поселением.

 

Q: Как оплатить?

: Депозит T/T 100% перед доставкой.

 

Q: Что ваше MOQ?

: (1) для инвентаря, MOQ 1pcs. если 2-5pcs оно лучшее.

(2) для подгонянных общих продуктов, MOQ 10pcs вверх.

 

Q: Что срок поставки?

: (1) для стандартных продуктов

Для инвентаря: доставка 5 трудодней после того как вы делаете заказ заказ.

Для подгонянных продуктов: доставка 2 через -4 недели после вас контакт заказа.

 

Q: Вы имеете стандартные продукты?

: Наши стандартные продукты в запасе. как вероятные субстраты 4inch 0.35mm.

 

Отправьте сообщение этому поставщику
Отправляй сейчас

Субстрат кремниевого карбида толщины 0.5mm 10x10mm HPSI

Спросите последнюю цену
Подробная информация о продукте
Номер модели :
5кс5мм
Место происхождения :
Китай
Количество минимального заказа :
20 ПК
Условия оплаты :
Т/Т, западное соединение, МонейГрам
Способность поставки :
1-50пкс/монтх
Срок поставки :
1-6векс
Контактный поставщик
Субстрат кремниевого карбида толщины 0.5mm 10x10mm HPSI
Субстрат кремниевого карбида толщины 0.5mm 10x10mm HPSI
Субстрат кремниевого карбида толщины 0.5mm 10x10mm HPSI
Субстрат кремниевого карбида толщины 0.5mm 10x10mm HPSI

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
7 Годы
shanghai, shanghai
С тех пор 2013
Вид деятельности :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Основные продукты :
субстрат сапфира, Сапфир оптически Виндовс, Вафля кремниевого карбида
Общее годовое :
1000000-1500000
Уровень сертификации :
Verified Supplier
Узнайте о аналогичных продуктах
Смотрите больше

Найти похожие товары по категориям:

Главная страница поставщика Продукты Вафля кремниевого карбида
MachineU Китайские продукты Минералы и металлургия Металлы и изделия из металла цементированный карбид
Контактный поставщик
Требование о предоставлении