MachineU > Китайские продукты > Химикаты > Неорганические химикаты > Неметаллические продукты > Огнеупорный
2 тип слитки вафли кремниевого карбида ДЮЙМА 6Х-Н кристаллических вафель МПД 50км 330ум СиК
2 тип слитки вафли кремниевого карбида ДЮЙМА 6Х-Н кристаллических вафель МПД 50км 330ум СиК
2 тип слитки вафли кремниевого карбида ДЮЙМА 6Х-Н кристаллических вафель МПД 50км 330ум СиК
2 тип слитки вафли кремниевого карбида ДЮЙМА 6Х-Н кристаллических вафель МПД 50км 330ум СиК
2 тип слитки вафли кремниевого карбида ДЮЙМА 6Х-Н кристаллических вафель МПД 50км 330ум СиК
2 тип слитки вафли кремниевого карбида ДЮЙМА 6Х-Н кристаллических вафель МПД 50км 330ум СиК
2 тип слитки вафли кремниевого карбида ДЮЙМА 6Х-Н кристаллических вафель МПД 50км 330ум СиК
2 тип слитки вафли кремниевого карбида ДЮЙМА 6Х-Н кристаллических вафель МПД 50км 330ум СиК
Спецификации
Номер модели :
6Х-Н
Место происхождения :
Китай
Количество минимального заказа :
1шт
Термины компенсации :
T / T, Western Union, MoneyGram
Способность поставкы :
1-50пкс/монтх
Срок поставки :
1-6векс
Упаковывая детали :
одиночный пакет вафли в комнате чистки 100 рангов
Материал :
Тип 6H-N SiC одиночный кристаллический
Ранг :
Манекен
Тхикнксс :
0.35MM/10-15mm
Сурафасе :
Отполированный
Применение :
носить тест
Диаметр :
2инч
Цвет :
зеленый цвет
Описание

 

 
Вафли sic как-отрезка субстратов wafersS/Customzied одиночного кристалла кремниевого карбида dia 150mm слитков Customzied size/10x10x0.5mmt/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC/особой чистоты 4H-N 4inch 6inch (sic)

Около кремниевый карбид (SiC) Кристл

 

Кремниевый карбид (SiC), также известный как карборунд, полупроводник содержа кремний и углерод с химической формулой SiC. SiC использован в приборах электроники полупроводника которые работают в условиях высоких температур или высокие напряжения тока, или both.SiC также один из важных компонентов СИД, это популярный субстрат для расти приборы GaN, и оно также служит как распространитель жары в высокомощном СИД.

1. Описание
Свойство 4H-SiC, одиночное Кристл 6H-SiC, одиночное Кристл
Параметры решетки a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Штабелировать последовательность ABCB ABCACB
Твердость Mohs ≈9.2 ≈9.2
Плотность 3,21 g/cm3 3,21 g/cm3
Therm. Коэффициент расширения 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Индекс @750nm рефракции

отсутствие = 2,61
ne = 2,66

отсутствие = 2,60
ne = 2,65
Диэлектрическая константа c~9.66 c~9.66
ohm.cm термальной проводимости (N типа, 0,02)

a~4.2 W/cm·K@298K
c~3.7 W/cm·K@298K

  
Термальная проводимость (Полу-изолировать)

a~4.9 W/cm·K@298K
c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K
c~3.2 W/cm·K@298K
Диапазон-зазор eV 3,23 eV 3,02
Поле нервного расстройства электрическое 3-5×106V/cm 3-5×106V/cm
Дрейфовая скорость сатурации 2.0×105m/s 2.0×105m/s

 

2 тип слитки вафли кремниевого карбида ДЮЙМА 6Х-Н кристаллических вафель МПД 50км 330ум СиК

Спецификация субстрата кремниевого карбида диаметра особой чистоты 4inch (SiC)
 

спецификация субстрата кремниевого карбида диаметра 2inch (SiC)  
Ранг Нул рангов MPD Ранг продукции Ранг исследования Фиктивная ранг  
 
Диаметр 50,8 mm±0.2mm  
 
Толщина 330 μm±25μm или 430±25um  
 
Ориентация вафли С оси: 4.0° к <1120> ±0.5° для 4H-N/4H-SI на оси: <0001> ±0.5° для 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI  
 
Плотность Micropipe см-2 ≤0 см-2 ≤5 см-2 ≤15 см-2 ≤100  
 
Резистивность 4H-N 0.015~0.028 Ω•см  
 
6H-N 0.02~0.1 Ω•см  
 
4/6H-SI ≥1E5 Ω·см  
 
Основная квартира {10-10} ±5.0°  
 
Основная плоская длина 18,5 mm±2.0 mm  
 
Вторичная плоская длина 10.0mm±2.0 mm  
 
Вторичная плоская ориентация Кремний лицевой: 90° CW. от основного плоского ±5.0°  
 
Исключение края 1 mm  
 
TTV/Bow /Warp ≤10μm/≤10μm/≤15μm  
 
Шершавость Польское Ra≤1 nm  
 
CMP Ra≤0.5 nm  
 
Отказы светом высокой интенсивности Никакие 1 позволенный, ≤2 mm Кумулятивное ≤ 10mm длины, одиночное length≤2mm  
 
 
Плиты наговора светом высокой интенсивности Кумулятивная область ≤1% Кумулятивная область ≤1% Кумулятивная область ≤3%  
 
Зоны Polytype светом высокой интенсивности Никакие Кумулятивная область ≤2% Кумулятивная область ≤5%  
 
 
Царапины светом высокой интенсивности 3 царапины к длине диаметра 1×wafer кумулятивной 5 царапин к длине диаметра 1×wafer кумулятивной 5 царапин к длине диаметра 1×wafer кумулятивной  
 
 
обломок края Никакие 3 позволенного, ≤0.5 mm каждое 5 позволенных, ≤1 mm каждое  

 

 

2 тип слитки вафли кремниевого карбида ДЮЙМА 6Х-Н кристаллических вафель МПД 50км 330ум СиК
 

2 тип слитки вафли кремниевого карбида ДЮЙМА 6Х-Н кристаллических вафель МПД 50км 330ум СиК2 тип слитки вафли кремниевого карбида ДЮЙМА 6Х-Н кристаллических вафель МПД 50км 330ум СиК
 2 тип слитки вафли кремниевого карбида ДЮЙМА 6Х-Н кристаллических вафель МПД 50км 330ум СиК
 
КАТАЛОГ   ОБЩИЙ РАЗМЕР
    
 

 

Тип 4H-N/вафля/слитки SiC особой чистоты
2 вафля/слитки дюйма 4H N типа SiC
3 вафля дюйма 4H N типа SiC
4 вафля/слитки дюйма 4H N типа SiC
6 вафля/слитки дюйма 4H N типа SiC

 
4H Полу-изолируя/вафля SiC особой чистоты

2 дюйма 4H Полу-изолируя вафлю SiC
3 дюйма 4H Полу-изолируя вафлю SiC
4 дюйма 4H Полу-изолируя вафлю SiC
6 дюймов 4H Полу-изолируя вафлю SiC
 
 
вафля 6H N типа SiC
2 вафля/слиток дюйма 6H N типа SiC
 
 Размер Customzied для 2-6inch
 
 

Применения SiC

 

Зоны применения

  • 1 диод высокочастотных и наивысшей мощности электронных устройств Schottky, JFET, BJT, PiN,
  • диоды, IGBT, MOSFET
  • 2 электронно-оптических прибора: главным образом использованный в СИД материала субстрата СИД GaN/SiC голубом (GaN/SiC)

>Упаковка – Logistcs
мы относимся каждое детали пакета, чистка, противостатическая, шоковая терапия.

Согласно количеству и форме продукта, мы примем различный упаковывая процесс! Почти одиночными кассетами вафли или кассетой 25pcs в комнате чистки 100 рангов.

 

2 тип слитки вафли кремниевого карбида ДЮЙМА 6Х-Н кристаллических вафель МПД 50км 330ум СиК

Отправьте сообщение этому поставщику
Отправляй сейчас

2 тип слитки вафли кремниевого карбида ДЮЙМА 6Х-Н кристаллических вафель МПД 50км 330ум СиК

Спросите последнюю цену
Подробная информация о продукте
Номер модели :
6Х-Н
Место происхождения :
Китай
Количество минимального заказа :
1шт
Термины компенсации :
T / T, Western Union, MoneyGram
Способность поставкы :
1-50пкс/монтх
Срок поставки :
1-6векс
Контактный поставщик
2 тип слитки вафли кремниевого карбида ДЮЙМА 6Х-Н кристаллических вафель МПД 50км 330ум СиК
2 тип слитки вафли кремниевого карбида ДЮЙМА 6Х-Н кристаллических вафель МПД 50км 330ум СиК
2 тип слитки вафли кремниевого карбида ДЮЙМА 6Х-Н кристаллических вафель МПД 50км 330ум СиК
2 тип слитки вафли кремниевого карбида ДЮЙМА 6Х-Н кристаллических вафель МПД 50км 330ум СиК

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
7 Годы
shanghai, shanghai
С тех пор 2013
Вид деятельности :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Основные продукты :
, ,
Общее годовое :
1000000-1500000
Уровень сертификации :
Verified Supplier
Узнайте о аналогичных продуктах
Смотрите больше
Смотреть связанные видео

Найти похожие товары по категориям:

Главная страница поставщика Продукты
MachineU Китайские продукты Химикаты Неорганические химикаты Неметаллические продукты Огнеупорный
Контактный поставщик
Требование о предоставлении