Свойство

4H-SiC, одиночное Кристл

6H-SiC, одиночное Кристл

Параметры решетки

a=3.076 Å c=10.053 Å

a=3.073 Å c=15.117 Å

Штабелировать последовательность

ABCB

ABCACB

Твердость Mohs

≈9,2

≈9,2

Плотность

3,21 g/cm3

3,21 g/cm3

Therm. Коэффициент расширения

4-5×10-6/K

4-5×10-6/K

Индекс @750nm рефракции

отсутствие = 2,61 ne = 2,66

отсутствие = 2,60 ne = 2,65

Диэлектрическая константа

c~9.66

c~9.66

ohm.cm термальной проводимости (N типа, 0,02)

a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K

Термальная проводимость (Полу-изолировать)

a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K

Диапазон-зазор

eV 3,23

eV 3,02

Поле нервного расстройства электрическое

3-5×106V/cm

3-5×106V/cm

Дрейфовая скорость сатурации

2,0×105 m/s

2,0×105 m/s

Ранг

 Диаметр

50,8 mm±0.38 mm

 Толщина

330 μm±25μm или customzied

Ориентация вафли

На оси: <0001> ±0.5° для 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI с оси: 4.0° к  1120  ±0.5° для 4H-N/4H-SI

 Плотность Micropipe

см-2 ≤5

см-2 ≤15

см-2 ≤50

Резистивность

4H-N

0.015~0.028 Ω·см

6H-N

0.02~0.1 Ω·см

4/6H-SI

>1E5 Ω·см

(90%) >1E5 Ω·см

 Основная квартира

{10-10} ±5.0°

Основная плоская длина

15,9 mm±1.7 mm

 Вторичная плоская длина

8,0 mm±1.7 mm

 Вторичная плоская ориентация

Кремний лицевой: 90° CW. от основного плоского ±5.0°

Исключение края

1 mm

 TTV/Bow /Warp

≤15μm/≤25μm/≤25μm

Шершавость

Польское Ra≤1 nm

CMP Ra≤0.5 nm

Отказы светом высокой интенсивности

Никакие

Никакие

1 позволенный, ≤1 mm

Плиты наговора светом высокой интенсивности

Кумулятивное area≤ 1%

Кумулятивное area≤ 1%

Кумулятивное area≤ 3%

Зоны Polytype светом высокой интенсивности

Никакие

Кумулятивное area≤ 2%

Кумулятивное area≤5%

Царапины светом высокой интенсивности

3 царапины к длине диаметра 1×wafer кумулятивной

5 царапин к длине диаметра 1×wafer кумулятивной

8 царапин к длине диаметра 1×wafer кумулятивной

Обломок края

Никакие

3 позволенного, ≤0.5 mm каждое

5 позволенных, ≤1 mm каждое