MachineU > Китайские продукты > Минералы и металлургия > Металлы и изделия из металла > Другие металлы и металлопродукция
Данная допинг Си вафля ГаАс арсенида галлия субстрата полупроводника для Микроваве/ХЭМТ/ПХЭМТ
Данная допинг Си вафля ГаАс арсенида галлия субстрата полупроводника для Микроваве/ХЭМТ/ПХЭМТ
Данная допинг Си вафля ГаАс арсенида галлия субстрата полупроводника для Микроваве/ХЭМТ/ПХЭМТ
Данная допинг Си вафля ГаАс арсенида галлия субстрата полупроводника для Микроваве/ХЭМТ/ПХЭМТ
Данная допинг Си вафля ГаАс арсенида галлия субстрата полупроводника для Микроваве/ХЭМТ/ПХЭМТ
Данная допинг Си вафля ГаАс арсенида галлия субстрата полупроводника для Микроваве/ХЭМТ/ПХЭМТ
Спецификации
Номер модели :
6инч С-К-Н
Место происхождения :
Китай
Количество минимального заказа :
5 шт
Термины компенсации :
T / T, Western Union, MoneyGram
Способность поставкы :
500pcs в месяц
Срок поставки :
2-4 Weeks
Упаковывая детали :
одиночная вафля упаковала в 6" пластиковая коробка под Н2
Материал :
Кристалл ГаАс одиночный
Размер :
6inch
Толщина :
650ум или кустомзид
типа :
зазубрина или квартиры
Ориентация :
(100) 2°офф
поверхность :
DSP
Метод роста :
VFG
Описание

тип 2инч/3инч /4inch /6inch С-К-Н Си-дал допинг вафле ГаАс арсенида галлия 

Характер продукции

Вафли арсенида галлия (ГаАс)

ПВАМ начинает и изготовляет кристалл и вафлю арсенида субстрат-галлия сложного полупроводника. Мы использовали предварительную технологию выращивания кристаллов, вертикальное замораживание градиента (ВГФ) и вафлю ГаАс технологический прочесс, установили производственную линию от выращивания кристаллов, вырезывания, меля к полируя обработке и построили комнату 100 классов чистую для чистки и упаковки вафли. Наша вафля ГаАс включает слиток/вафли 2~6 дюймов для СИД, ЛД и применений микроэлектроники. Мы всегда предназначены для того чтобы улучшить качество в настоящее время подсостояний и начать крупноразмерные субстраты.

Вафли арсенида галлия (ГаАс) для применений СИД

  • 1. Главным образом использованный в электронике, сплавы низкой температуры, арсенид галлия.
  • 2. Основное химическое соединение галлия в электронике, использовано в цепях микроволны, высокоскоростных цепях переключения, и ультракрасных цепях.
  • 3. Нитрид галлия и нитрид галлия индия, ибо пользы полупроводника, производят голубые и фиолетовые светоизлучающие диоды (LEDs) и лазеры диода.
Данная допинг Си вафля ГаАс арсенида галлия субстрата полупроводника для Микроваве/ХЭМТ/ПХЭМТ
ХАРАКТЕР ПРОДУКЦИИ
СПЕЦИФИКАЦИЯ --6 вафля арсенида галлия СИ-Допант Н типа ССП/ДСП ЛЭД/ЛД дюйма
Метод роста
ВГФ
Ориентация
<100>
Диаметр
150,0 +/- 0,3 мм
Толщина
650ум +/- 25ум
Блеск
Определите, который встали на сторону отполированное (SSP)
Шероховатость поверхности
Отполированный
ТТВ/Бов
<10um>
Допант
Си
Тип проводимости
Н типа
Резистивность (на РТ)
(см ома 1.2~9.9) *10-3
Плотность ямы травления (ЭПД)
СИД <5000>2; ЛД <500>
Подвижность
Км2 СИД >1000/в.с; Км2 ЛД >1500/в.с
Концентрация несущей
СИД > (0.4-4) *1018 /cm 3; ЛД > (0.4-2.5) *1018 /cm3

Спецификации полу-проводить вафлю ГаАс

     

 Метод роста

ВГФ

Допант

п типа: Зн

н типа: Си

Форма вафли

Круглый (ДИА: 2", 3", 4", 6")

Поверхностная ориентация *

(100) ±0.5°

* другие ориентации возможно доступные по требованию

Допант

Си (н типа)

Зн (п типа)

Концентрация несущей (км-3)

(0.8-4) × 1018

(0.5-5) × 1019

Подвижность (км2/В.С.)

× 103 (1-2.5)

50-120

Плотность тангажа Этч (км2)

100-5000

3,000-5,000

Диаметр вафли (мм)

50.8±0.3

76.2±0.3

100±0.3

Толщина (µм)

350±25

625±25

625±25

ТТВ [П/П] (µм)

≤ 4

≤ 4

≤ 4

ТТВ [П/Э] (µм)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

ИСКРИВЛЕНИЕ (µм)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

(мм)

17±1

22±1

32.5±1

/ЕСЛИ (мм), то

7±1

12±1

18±1

Полиш*

Э/Э,

П/Э,

П/П

Э/Э,

П/Э,

П/П

Э/Э,

П/Э,

П/П

Спецификации полу-изолировать вафлю ГаАс

Метод роста

ВГФ

Допант

Тип СИ: Углерод

Форма вафли

Круглый (ДИА: 2", 3", 4", 6")

Поверхностная ориентация *

(100) ±0.5°

* другие ориентации возможно доступные по требованию

Резистивность (Ω.км)

× 107 ≥ 1

× 108 ≥ 1

Подвижность (км2/В.С)

≥ 5 000

≥ 4 000

Плотность тангажа Этч (км2)

1,500-5,000

1,500-5,000

Диаметр вафли (мм)

50.8±0.3

76.2±0.3

100±0.3

150±0.3

Толщина (µм)

350±25

625±25

625±25

675±25

ТТВ [П/П] (µм)

≤ 4

≤ 4

≤ 4

≤ 4

ТТВ [П/Э] (µм)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

≤ 10

ИСКРИВЛЕНИЕ (µм)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

≤ 15

(мм)

17±1

22±1

32.5±1

ЗАЗУБРИНА

/ЕСЛИ (мм), то

7±1

12±1

18±1

Н/А

Полиш*

Э/Э,

П/Э,

П/П

Э/Э,

П/Э,

П/П

Э/Э,

П/Э,

П/П

Э/Э,

П/Э,

П/П

Данная допинг Си вафля ГаАс арсенида галлия субстрата полупроводника для Микроваве/ХЭМТ/ПХЭМТ

 

вопросы и ответы –
К: Что вы можете поставить снабжение и цену?
(1) мы признаваем ДХЛ, Федерал Экспресс, ТНТ, УПС, ЭМС, СФ и етк.
(2) если вы имеете ваш собственный срочный номер, то оно большие.
Если не, мы смогли помочь вам для того чтобы поставить. Фрайгхт=УСД25.0 (первый вес) + УСД12.0/кг

К: Что срок поставки?
(1) для стандартных продуктов как объектив шарика, объектив Пауэлла и объектив центрира:
Для инвентаря: доставка 5 трудодней после заказа.
Для подгонянных продуктов: доставка 2 или 3 рабочей недели после заказа.
(2) для -стандартных продуктов, доставка 2 или 6 рабочей недели после того как вы делаете заказ заказ.

К: Как оплатить?
Т/Т, ПайПал, западное соединение, МонейГрам, безопасное обеспечение оплаты и торговли на Алибаба и етк…

К: Что МОК?
(1) для инвентаря, МОК 5пкс.
(2) для подгонянных продуктов, МОК 5пкс-20пкс.
Оно зависит от количества и методов

К: Вы имеете отчет о проверке для материала?
Мы можем поставить подробный отчет для наших продуктов.

 

Упаковка – Логисткс
мы относимся каждое детали пакета, чистка, противостатическая, шоковая терапия. Согласно количеству и форме продукта,

мы примем различный упаковывая процесс!

Отправьте сообщение этому поставщику
Отправляй сейчас

Данная допинг Си вафля ГаАс арсенида галлия субстрата полупроводника для Микроваве/ХЭМТ/ПХЭМТ

Спросите последнюю цену
Подробная информация о продукте
Номер модели :
6инч С-К-Н
Место происхождения :
Китай
Количество минимального заказа :
5 шт
Термины компенсации :
T / T, Western Union, MoneyGram
Способность поставкы :
500pcs в месяц
Срок поставки :
2-4 Weeks
Контактный поставщик
Данная допинг Си вафля ГаАс арсенида галлия субстрата полупроводника для Микроваве/ХЭМТ/ПХЭМТ
Данная допинг Си вафля ГаАс арсенида галлия субстрата полупроводника для Микроваве/ХЭМТ/ПХЭМТ
Данная допинг Си вафля ГаАс арсенида галлия субстрата полупроводника для Микроваве/ХЭМТ/ПХЭМТ

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
7 Годы
shanghai, shanghai
С тех пор 2013
Вид деятельности :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Основные продукты :
, ,
Общее годовое :
1000000-1500000
Уровень сертификации :
Verified Supplier
Узнайте о аналогичных продуктах
Смотрите больше
Смотреть связанные видео

Найти похожие товары по категориям:

Главная страница поставщика Продукты
MachineU Китайские продукты Минералы и металлургия Металлы и изделия из металла Другие металлы и металлопродукция
Контактный поставщик
Требование о предоставлении