MachineU > Китайские продукты > Бытовая техника > Основные кухонные приборы > Варочные панели > Керамические варочные панели
2 сапфир основало субстрат GaN-На-SiC полупроводника шаблонов GaN
2 сапфир основало субстрат GaN-На-SiC полупроводника шаблонов GaN
2 сапфир основало субстрат GaN-На-SiC полупроводника шаблонов GaN
2 сапфир основало субстрат GaN-На-SiC полупроводника шаблонов GaN
Спецификации
Номер модели :
GaN-сапфир 4inch
Место происхождения :
Китай
Количество минимального заказа :
2pcs
Условия оплаты :
T/T, западное соединение, PayPal
Способность поставки :
50pcs/month
Срок поставки :
в 20days
Упаковывая детали :
одиночный контейнер вафли в комнате чистки
Субстрат :
GaN-На-сапфир
Слой :
Шаблон GaN
Толщина слоя :
1-5um
тип проводимости :
N/P
Ориентация :
0001
Применение :
наивысшая мощность/высокочастотные электронные устройства
применение 2 :
приборы 5G saw/BAW
толщина кремния :
525um/625um/725um
Описание

2inch 4inch 4" 2" сапфир основало фильм GaN шаблонов GaN на окнах GaN субстратов GaN вафель GaN GaN-На-сапфира субстрата сапфира

 

Свойства GaN

1) На комнатной температуре, GaN неразрешимо в воде, кислоте и алкалие.

2)Растворенный в горячем щелочном растворе на очень медленном тарифе.

3) NaOH, H2SO4 и H3PO4 могут быстро вытравить низкое качество GaN, можно использовать для этих обнаружение дефекта кристалла GaN низкого качества.

4) GaN в HCL или водоподе, на высокой температуре представляет неустойчивые характеристики.

5) GaN самые стабилизированные под азотом.

Электрические свойства GaN

1) Электрические свойства GaN большинств важные факторы влияя на прибор.

2) GaN без давать допинг было n во все случаи, и концентрация электрона самого лучшего образца была о 4* (10^16) /c㎡.

3) Вообще, подготовленные образцы p сильно компенсированы.

Оптически свойства GaN

1) Широкий материал сложного полупроводника зазора диапазона с высокой шириной связи (2.3~6.2eV), может покрыть красное желтое зеленое, голубой, фиолетовый и спектр ультрафиолетова, до сих пор что любые другие материалы полупроводника неспособны достигнуть.

2) Главным образом использованный в голубом и фиолетовом светоиспускающом приборе.

Свойства материала GaN

1) Высокочастотное свойство, приезжает на 300G Hz. (Si 10G & GaAs 80G)

2) Высокотемпературное свойство, нормальные работа на 300℃, очень соответствующее для космической, военной и другой высокотемпературной окружающей среды.

3) Дрейф электронов имеет высокую скорость сатурации, низкую диэлектрическую константу и хорошую термальную проводимость.

4) Сопротивление кислоты и алкалиа, коррозионную устойчивость, можно использовать в жесткой окружающей среде.

5) Высоковольтные характеристики, сопротивление удара, высокая надежность.

6) Большая сила, оборудование связи жаждет очень.

 

Главное использование GaN

1) светоизлучающие диоды, СИД

2) транзисторы влияния поля, FET

3) лазерные диоды, LD

 
Спецификация
СИД Epi сини/зеленого цвета 2 дюймов. На сапфире
 
 
 
Субстрат
Тип
Плоский сапфир
Польский
Одиночная сторона отполированная (SSP)/двойная отполированная сторона (DSP)
Размер
± 100 0,2 mm
Ориентация
Самолет c (0001) с угла к ± 0.1° M-оси 0,2
Толщина
650 μm ± 25
 
 
 
 
 
 
 
Эпислой
Структура (ультра-низкое течение
дизайн)
uGaN 0.2μm pGaN/0.5μm MQWs/2.5μm nGaN/2.0μm
Толщина/std
5,5 ± 0.5μm/ <3>
Шершавость (Ра)
<0>
Длина волны/std
Голубое СИД
Зеленое СИД
465 ± 10 nm/ < 1="">
525 ± 10 nm/ <2>
Длина волны FWHMs
< 20="" nm="">
< 35="" nm="">
Плотность дислокации
< 5="">
Частицы (>20μm)
< 4="" pcs="">
Смычок
< 50="">
Представление обломока (основанное на вашей технологии обломока, здесь для
ссылка, размер<100>
Параметр
Пик EQE
ΜA Vfin@1
ΜA Vr@-10
Ir@-15V
ESDHM@2KV
Голубое СИД
> 30%
2.3-2.5V
> 40V
< 0="">
> 95%
Зеленое СИД
> 20%
2.2-2.4V
> 25V
< 0="">
> 95%
Годная к употреблению область
> 90% (исключение дефектов края и макроса)
Пакет
Упакованный в чистой комнате в одиночном контейнере вафли

 

 

 

2

 

Кристаллическая структура

Вуртцит
Константа решетки (Å) a=3.112, c=4.982
Тип зоны проводимости Сразу bandgap
Плотность (g/cm3) 3,23
Поверхностный microhardness (тест Knoop) 800
Точка плавления (℃) 2750 (бар 10-100 в N2)
Термальная проводимость (W/m·K) 320
Энергия зазора диапазона (eV) 6,28
Подвижность электрона (v·s/cm2) 1100
Электрическое поле нервного расстройства (MV/cm) 11,7

22

Отправьте сообщение этому поставщику
Отправляй сейчас

2" сапфир основало субстрат GaN-На-SiC полупроводника шаблонов GaN

Спросите последнюю цену
Подробная информация о продукте
Номер модели :
GaN-сапфир 4inch
Место происхождения :
Китай
Количество минимального заказа :
2pcs
Условия оплаты :
T/T, западное соединение, PayPal
Способность поставки :
50pcs/month
Срок поставки :
в 20days
Контактный поставщик
2 сапфир основало субстрат GaN-На-SiC полупроводника шаблонов GaN
2 сапфир основало субстрат GaN-На-SiC полупроводника шаблонов GaN

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
7 Годы
shanghai, shanghai
С тех пор 2013
Вид деятельности :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Основные продукты :
субстрат сапфира, Сапфир оптически Виндовс, Вафля кремниевого карбида
Общее годовое :
1000000-1500000
Уровень сертификации :
Verified Supplier
Узнайте о аналогичных продуктах
Смотрите больше

Найти похожие товары по категориям:

Главная страница поставщика Продукты Вафля нитрида галлия
MachineU Китайские продукты Бытовая техника Основные кухонные приборы Варочные панели Керамические варочные панели
Контактный поставщик
Требование о предоставлении