2 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов 3C-N SiC Wafer Силиконовый карбид Оптоэлектронный высокомощный RF LEDS

Описание Wafer 3C-N SiC:

По сравнению с 4H-Sic, хотя разрыв в полосе 3C карбида кремния

(3C SiC)Ее теплопроводность и механические свойства лучше, чем у 4H-SiC.плотность дефекта на интерфейсе между изоляционным оксидом qate и 3C-sic ниже. что более благоприятно влияет на производство высоковольтных, высоконадежных и долговечных устройств.Устройства на основе 3C-SiC в основном изготавливаются на си-субстратах с большим несоответствием решетки и несоответствием коэффициента теплового расширения между Si и 3C SiC, что приводит к высокой плотности дефектаБолее того, недорогие 3C-SiC-волты окажут значительное влияние на рынок силовых устройств в диапазоне 600-1200в.ускорение прогресса всей отраслиПоэтому разработка больших объемов 3C-SiC-облачек неизбежна.

Характер Wafer 3C-N SiC:

1. Кристаллическая структура: 3C-SiC имеет кубическую кристаллическую структуру, в отличие от более распространенных шестиугольных политипов 4H-SiC и 6H-SiC. Эта кубическая структура предлагает некоторые преимущества в определенных приложениях.
2Пробел в диапазоне: пробел в диапазоне 3C-SiC составляет около 2,2 eV, что делает его подходящим для применения в оптоэлектронике и высокотемпературной электронике.
3Теплопроводность: 3C-SiC имеет высокую теплопроводность, что важно для приложений, требующих эффективного рассеивания тепла.
4Совместимость: совместима со стандартными технологиями обработки кремния, что позволяет интегрировать ее с существующими устройствами на основе кремния.

Форма Wafer 3C-N SiC:

Применение Wafer 3C-N SiC:

1Электротехника:3C-SiC-облаки используются в высокопроизводительных электронных устройствах, таких как MOSFET (транзисторы с полевым эффектом металлического оксида-полупроводника) и диоды Шоттки из-за их высокого разрывного напряжения, высокая теплопроводность и низкое сопротивление.
2. Устройства для радиочастотных и микроволновых сигналов: The high electron mobility and superior thermal conductivity of 3C-SiC make it suitable for applications in radio frequency (RF) and microwave devices like high-power amplifiers and high-frequency transistors.
3Оптоэлектроника: 3C-SiC пластинки используются в разработке оптико-электронных устройств, таких как светодиоды (LED), фотодетекторы,и лазерных диодов благодаря их широкой полосе пропускания и отличным тепловым свойствам.
4. Устройства MEMS и NEMS: микроэлектромеханические системы (MEMS) и наноэлектромеханические системы (NEMS) пользуются 3C-SiC пластинками для их механической стабильности,способность к высокотемпературной работе;, и химической инертности.
5. датчики: 3C-SiC пластинки используются в производстве датчиков для суровых условий, таких как датчики высокой температуры, датчики давления, датчики газа и химические датчики,из-за их прочности и стабильности.
6Системы электросетей: В системах распределения и передачи электроэнергии, 3C-SiC-вофры используются в высоковольтных устройствах и компонентах для эффективного преобразования энергии и снижения потерь энергии.
7Аэрокосмическая и оборонная промышленность: высокая терпимость к температуре и твердость радиации 3C-SiC делают его подходящим для применения в аэрокосмической и оборонной промышленности, в том числе в компонентах самолетов, радиолокационных системах,и устройства связи.
8Хранение энергии: пластины 3C-SiC используются для хранения энергии в таких устройствах, как батареи и суперконденсаторы, из-за их высокой теплопроводности и стабильности в суровых условиях эксплуатации.
Промышленность полупроводников: пластины 3C-SiC также используются в полупроводниковой промышленности для разработки передовых интегральных схем и высокопроизводительных электронных компонентов.

Изображение применения 3C-N SiC Wafer:

Упаковка и перевозка:

Часто задаваемые вопросы

1Вопрос: В чем разница между 4H и 3C?Кремниевый карбид?

A:по сравнению с 4H-SiC, хотя разрыв в полосе 3C карбида кремния (3C SiC) ниже, его мобильность носителя, теплопроводность и механические свойства лучше, чем у 4H-SiC

2Вопрос: Каков электронный сходство 3C SiC?
Ответ:Афинитеты электронов 3C, 6H и 4H SIC (0001) составляют 3,8eV, 3,3eV и 3,1eV соответственно.

Рекомендация продукта:

1Силиконовый карбидный пластинка 4H - N типа для устройства MOS 2 дюйма диаметр 50,6 мм

2. 6 дюймовые SiC Wafer 4H/6H-P RF микроволновые светодиоды лазеры