3C-N SiC вафель 4 дюймовый Кремниевый карбид Prime Grade Dummy Grade Высокая мобильность электронов RF LED

Описание Wafer 3C-N SiC:

Мы можем предложить 4-дюймовые 3C-N Кремниевые карбидные пластинки с N-типами SiC субстратов.Он имеет кристаллическую структуру карбида кремния, где атомы кремния и углерода расположены в кубической решетке с алмазной структуройОн обладает несколькими превосходными свойствами по сравнению с широко используемым 4H-SiC, такими как более высокая мобильность электронов и скорость насыщения.и легче изготавливать, чем в настоящее время основные 4H-SiC пластинкиОн исключительно подходит для мощных электронных устройств.

Характер 3C-N SiC вафры:

1Широкий разрыв.
Высокое разрывное напряжение: 3C-N SiC пластинки имеют широкий диапазон (~ 3,0 eV), что позволяет работать на высоком напряжении и делает их подходящими для силовой электроники.
2Высокая теплопроводность
Эффективное рассеивание тепла: с теплопроводностью около 3,0 Вт/см·К, эти пластины могут эффективно рассеивать тепло, позволяя устройствам работать на более высоких уровнях мощности без перегрева.
3Высокая мобильность электронов
Улучшенная производительность: высокая мобильность электронов (~ 1000 см2/В·с) приводит к более высокой скорости переключения, что делает 3C-N SiC идеальным для высокочастотных приложений.
4Механическая прочность
Прочность: 3C-N SiC-вофли обладают отличными механическими свойствами, включая высокую твердость и износостойкость, что повышает их надежность в различных приложениях.
5Химическая стабильность
Устойчивость к коррозии: материал химически стабилен и устойчив к окислению, что делает его подходящим для суровой среды.
6. Низкие потоки утечки
Эффективность: низкий ток утечки в устройствах, изготовленных из пластин 3C-N SiC, способствует повышению эффективности в силовой электронике.

Форма Wafer 3C-N SiC:

Сравнение свойств SiC:

Физическая фотография 3C-N SiC Wafer:

Применение 3C-N SiC Wafer:

1Электротехника
Высокомощные устройства: используются в мощных MOSFET и IGBT из-за их высокого разрывного напряжения и теплопроводности.
Коммутационные устройства: идеально подходят для применений, требующих высокой эффективности, таких как преобразователи и инверторы постоянного тока.
2. радиочастотные и микроволновые устройства
Высокочастотные транзисторы: используются в УЗИ и микроволновых устройствах, пользующихся высокой мобильностью электронов.
Радарные и коммуникационные системы: используются в спутниковой связи и радиолокационной технологии для повышения производительности.
3. Технология светодиодных ламп
Синие и ультрафиолетовые светодиоды: 3C-SiC можно использовать при производстве светоизлучающих диодов, особенно для применения в синем и УФ-свете.
4Применение при высоких температурах
Сенсоры: Подходят для высокотемпературных датчиков, используемых в автомобильной и промышленной промышленности.
Аэрокосмическая промышленность: используется в компонентах, которые должны эффективно работать в экстремальных условиях.

Снимок применения 3C-N SiC Wafer:

Упаковка и транспортировка 3C-N SiC Wafer:

Настройка:

Продукты из кристаллов SiC могут быть изготовлены на заказ, чтобы соответствовать конкретным требованиям и спецификациям клиента.

Рекомендация продукта:

1.2-дюймовый 3-дюймовый 4-дюймовый 6-дюймовый 8-дюймовый Сик Вафля 4H-N/полутип

2.6 дюймовый Си-Си-Вейфер 4H/6H-P