MachineU > Китайские продукты > Электрооборудование и расходные материалы > Промышленные средства управления > Трансформеры
Сильнотоковый тип высокая эффективность n транзистора силы Mosfet двойной
Сильнотоковый тип высокая эффективность n транзистора силы Mosfet двойной
Спецификации
Место происхождения :
Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :
PCS 1000-2000
Упаковывая детали :
Положенный в коробку
Срок поставки :
1 - 2 недели
Условия оплаты :
L/C T/T Западное соединение
Способность поставки :
18,000,000PCS/в день
Номер модели :
HXY4812
Название продукта :
Транзистор силы Mosfet
Применение :
переключатель нагрузки или в применениях PWM.
Случай :
Лента/поднос/вьюрок
Описание

MOSFET N-канала HXY4812 0V двойной

 

 

Общее описание

 

HXY4812 использует предварительную технологию канавы к

обеспечьте превосходный RDS (ДАЛЬШЕ) и низкую обязанность ворот. Это

прибор соответствующий для пользы как переключатель нагрузки или в PWM

применения.

 

 

Сводка продукта

Сильнотоковый тип высокая эффективность n транзистора силы Mosfet двойнойСильнотоковый тип высокая эффективность n транзистора силы Mosfet двойной

 

 

 

Абсолютный максимум оценок t =25°C если не указано иное

 

Сильнотоковый тип высокая эффективность n транзистора силы Mosfet двойной

 

 

Электрические характеристики (t =25°C если не указано иное)

 

Сильнотоковый тип высокая эффективность n транзистора силы Mosfet двойной

 

 

 

A. Значение RθJA измерено с прибором установленным на доске 1in2 FR-4 с 2oz. Медь, в неподвижной окружающей среде воздуха с ЖИВОТИКАМИ =25°C.

значение в любом, который дали применении зависит от дизайна доски потребителя специфического.

B. PD диссипации силы основан на TJ (МАКС) =150°C, используя сопротивление ≤ 10s соединени-к-окружающее термальное.

Оценка C. Повторяющийся, ширина ИМПа ульс ограничиваемая оценками температуры соединения TJ (МАКС) =150°C. основана на низкочастотном и кругах обязаностей для того чтобы держать

D. RθJA сумма термального импеданса от соединения для того чтобы привести RθJL и привести к окружающему.

E. Статические характеристики в диаграммах 1 до 6 получены используя <300>

Сильнотоковый тип высокая эффективность n транзистора силы Mosfet двойнойСильнотоковый тип высокая эффективность n транзистора силы Mosfet двойной

 

 

 

 

Отправьте сообщение этому поставщику
Отправляй сейчас

Сильнотоковый тип высокая эффективность n транзистора силы Mosfet двойной

Спросите последнюю цену
Подробная информация о продукте
Место происхождения :
Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :
PCS 1000-2000
Упаковывая детали :
Положенный в коробку
Срок поставки :
1 - 2 недели
Условия оплаты :
L/C T/T Западное соединение
Способность поставки :
18,000,000PCS/в день
Контактный поставщик
Сильнотоковый тип высокая эффективность n транзистора силы Mosfet двойной

Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

Verified Supplier
5 Годы
shenzhen
Вид деятельности :
Изготовление
Основные продукты :
, ,
Уровень сертификации :
Verified Supplier
Узнайте о аналогичных продуктах
Смотрите больше
Смотреть связанные видео

Найти похожие товары по категориям:

Главная страница поставщика Продукты
MachineU Китайские продукты Электрооборудование и расходные материалы Промышленные средства управления Трансформеры
Контактный поставщик
Требование о предоставлении