Атомно-слоевое осаждение в каталитической промышленности


Приложения

Принцип работы
Технология атомно-слоевого осаждения (ALD), также известная как технология атомно-слоевой эпитаксии (ALE), представляет собой химическую технологию.
парфильмтехнология осаждения, основанная на упорядоченной и поверхностной реакции самонасыщения.АЛД применяется в
полупроводникполе.В качествеЗакон Мура постоянно развивается, и размеры элементов и канавки травления интегрированных
цепи былипостоянноминиатюризация, все меньшие и меньшие канавки травления приносили серьезные
проблемы с покрытиемтехнологиипазов и их боковых стенок.Традиционный процесс PVD и CVD был
не в состоянии удовлетворить требованиявысшегоступенчатое покрытие под узкую ширину линии.Технология ALD играет
все более важную роль в полупроводниковой промышленностиза счет отличной формы, однородности и более высокого шага
покрытие.

Функции

Образцы покрытия

Шаги процесса
→ Поместите подложку для покрытия в вакуумную камеру;
→ Вакуумировать вакуумную камеру при высокой и низкой температуре и синхронно вращать подложку;
→ Стартовое покрытие: подложка контактирует с прекурсором последовательно и без одновременной реакции;
→ Продувайте его газообразным азотом высокой чистоты после каждой реакции;
→ Прекратите вращение подложки после того, как толщина пленки станет стандартной, а операция продувки и охлаждения завершится.
завершите, затем извлеките подложку после того, как будут соблюдены условия отключения вакуума.

Наши преимущества
Мы производитель.
Зрелый процесс.
Ответ в течение 24 рабочих часов.

Наша сертификация ISO


Части наших патентов


Части наших наград и квалификаций в области НИОКР