MachineU > Китайские продукты > Электрооборудование и расходные материалы > Промышленные средства управления > Другое электрооборудование
Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см
Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см
Спецификации
Номер модели :
JDCD01-001-021
Место происхождения :
Сучжоу Китай
Условия оплаты :
T/T
Способность поставки :
10000pcs/Month
Срок поставки :
3-4 рабочих дня
Упаковывая детали :
Вакуумная упаковка в чистом помещении класса 10000, в кассетах по 6 шт. или в одинарных вафельных ко
Размеры :
± 50,8 1 mm
Толщина :
350 ±25µm
Смычок :
- ≤ 10µm СМЫЧКА ≤ 10µm
Плотность дефекта макроса :
² 0cm⁻
Годная к употреблению область :
> 90% (исключение края)
Название продукта :
свободно стоящие субстраты GaN
Национальные стандарты Китая :
GB/T32282-2015
Описание

C-сторона 2inch Fe-дала допинг SI типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночной кристаллической > 106 Ω·приборы RF см

Достиганное пробивное напряжение Fe-данного допинг эпитаксиального слоя GaN может быть как высоко как 2457 v, который приписан к Fe-данному допинг эпитаксиальному слою GaN с высокоомным, которое может вытерпеть высокое пробивное напряжение. Детали корреляции между поверхностным словотолкованием, концентрацией Fe, и толщиной Fe-данных допинг эпитаксиальных слоев GaN используемых для высоких приборов пробивного напряжения также будут обсужены в этой бумаге.

2-дюймовые свободно стоящие субстраты SI-GaN
Превосходный уровень (s) Уровень продукции (a) Уровень исследования (b) Фиктивный уровень (c)

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

Примечание:

(1) годная к употреблению область: исключение дефектов края и макроса

(2) 3 пункта: miscut двигает под углом положений (2, 4, 5) 0,35 ± 0,15o
S-1 S-2 A-1 A-2
Размер ± 50,8 1 mm
Толщина 350 μm ± 25
Квартира ориентации ± 0,5o (1-100), ± 16 1 mm
Вторичная квартира ориентации ± 3o (11-20), ± 8 1 mm
Резистивность (300K) > 1 x 106 Ω·см для Fe-данный допинг Полу-изолировать (; GaN-FS-C-SI-C50)
TTV μm ≤ 15
СМЫЧОК μm ≤ 20 μm ≤ 40
Шероховатость поверхности стороны Ga

< 0="">

или < 0="">

Шероховатость поверхности стороны n

0,5 μm ~1,5

вариант: 1~3 nm (точная земля); < 0="">

Пакет Упакованный в чистой комнате в одиночном контейнере вафли
Годная к употреблению область > 90% >80% >70%
Плотность дислокации <9>см-2 x105 <3x10>6 см-2 <9>5 см-2 <3>см-2 x106 <3x10>6 см-2
Ориентация: Самолет c (0001) с угла к M-оси

0,35 ± 0,15o

(3 пункта)

0,35 ± 0,15o

(3 пункта)

0,35 ± 0,15o

(3 пункта)
Плотность дефекта макроса (отверстие) 0 см-2 < 0="">-2 < 1="" cm="">-2
Максимальный размер дефектов макроса < 700=""> < 2000=""> < 4000="">

* национальные стандарты Китая (GB/T32282-2015)

О нас

Мы специализируем в обработке разнообразие материалов в вафли, субстраты и подгонянное оптически стекло parts.components широко используемые в электронике, оптике, opto электронике и много других полей. Мы также работали близко с много отечественных и международные университеты, научно-исследовательские институты и компании, обеспечивают подгонянные продукты и услуга для их проектов НИОКР. Наше зрение к поддержанию хорошего отношения сотрудничества с нашими всеми клиентами нашими хорошими репутациями.

вопросы и ответы

Q: Вы торговая компания или изготовитель?
Мы фабрика.
Q: Сколько времени ваш срок поставки?
Вообще 3-5 дней если товары в запасе.
или 7-10 дней если товары нет в запасе, то, оно согласно количеству.
Q: Вы обеспечиваете образцы? он свободно или дополнительные?
Да, мы смогли предложить обязанность образца бесплатно но не оплачиваем цену перевозки.
Q: Что ваши условия платежа?
Оплата <> >=5000USD оплаты, 80% T/T заранее, баланс перед пересылкой.

Отправьте сообщение этому поставщику
Отправляй сейчас

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

Спросите последнюю цену
Смотрите видео
Подробная информация о продукте
Номер модели :
JDCD01-001-021
Место происхождения :
Сучжоу Китай
Условия оплаты :
T/T
Способность поставки :
10000pcs/Month
Срок поставки :
3-4 рабочих дня
Упаковывая детали :
Вакуумная упаковка в чистом помещении класса 10000, в кассетах по 6 шт. или в одинарных вафельных ко
Контактный поставщик
видео
Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Active Member
4 Годы
shanghai, shanghai
С тех пор 2020
Вид деятельности :
Изготовление
Основные продукты :
, ,
Количество работников :
>100
Уровень сертификации :
Active Member
Узнайте о аналогичных продуктах
Смотрите больше
Смотреть связанные видео

Найти похожие товары по категориям:

Главная страница поставщика Продукты
MachineU Китайские продукты Электрооборудование и расходные материалы Промышленные средства управления Другое электрооборудование
Контактный поставщик
Требование о предоставлении