625um к 675um вафля СИД GaN 4 дюймов голубая эпитаксиальная на сапфире сапфира SSP плоском Видео из Китая

Jun 09, 2025

17 мнения

Описание продукта: Μm ± 25 толщины 650 субстрата вафля СИД GaN 4 дюймов голубая эпитаксиальная на сапфире сапфира SSP плоском вафля СИД GaN 4 дюймов голубая эпитаксиалУзнать больше

625um к 675um вафля СИД GaN 4 дюймов голубая эпитаксиальная на сапфире сапфира SSP плоском

625um к 675um вафля СИД GaN 4 дюймов голубая эпитаксиальная на сапфире сапфира SSP плоском

JDWY03-001-031

Сучжоу Китай

Свяжитесь сейчас

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Active Member

4 Годы

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

вафля Si 12.5mm 2inch Freestanding n GaN Epi дала допинг

вафля Si 12.5mm 2inch Freestanding n GaN Epi дала допинг

вафля Si 12.5mm 2inch Freestanding n GaN Epi дала допинг

4-дюймовый легированный UID GaN N-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление > 0,5 Ом·см Светодиод, лазер, эпитаксиальная пластина PIN

4-дюймовый легированный UID GaN N-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление > 0,5 Ом·см Светодиод, лазер, эпитаксиальная пластина PIN

4-дюймовый легированный UID GaN N-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление > 0,5 Ом·см Светодиод, лазер, эпитаксиальная пластина PIN

2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства

2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства

2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства

самолет c субстрата 10*10.5mm2 GaN одиночного Кристл (0001) с угла к M-оси 0,35 ±0.15°

самолет c субстрата 10*10.5mm2 GaN одиночного Кристл (0001) с угла к M-оси 0,35 ±0.15°

самолет c субстрата 10*10.5mm2 GaN одиночного Кристл (0001) с угла к M-оси 0,35 ±0.15°

Заменить партию

4-дюймовый допированный свободностоящий субстрат галлиевого нитрида

4-дюймовый допированный свободностоящий субстрат галлиевого нитрида

Просмотр деталей

GaN 2 дюйма Нитрид галлия однокристаллический субстрат

GaN 2 дюйма Нитрид галлия однокристаллический субстрат

Просмотр деталей

625um до 675um 4 дюйма Синий светодиод галлиевого нитрида GaN Эпитаксиальная пла

625um до 675um 4 дюйма Синий светодиод галлиевого нитрида GaN Эпитаксиальная пла

Просмотр деталей

ГаН эпитаксиальная пластина, необходимая для производства высоковольтных высокоч

ГаН эпитаксиальная пластина, необходимая для производства высоковольтных высокоч

Просмотр деталей

2-дюймовый N-тип GaN на сапфировом эпитаксиальном пластинке для устройства LED-л

2-дюймовый N-тип GaN на сапфировом эпитаксиальном пластинке для устройства LED-л

Просмотр деталей

Найти похожие товары по категориям:

Главная страница поставщика Продукты

MachineU Видеоканал Свет и освещение Аксессуары для освещения Серия инкапсуляции светодиодов SMD-светодиод

Контактный поставщик

Сообщение*

Электронная почта*

Телефон или WhatsApp*

Имя

Компания

Требование о предоставлении

Пожалуйста, ответьте мне в течение 24 часов.

Да, я бы хотел получить подтвержденные поставщики!