Эпитаксиальная пластина GaN 375 мкм Отдельно стоящие подложки U-GaN SI-GaN Видео из Китая

May 26, 2025

6 мнения

Описание продукта: 350 ± 25 мкм (11-20) ± 3о, 8 ± 1 мм 2-дюймовые отдельно стоящие подложки U-GaN/SI-GaN 2-дюймовая C-образная нелегированная отдельно стоящая монокристУзнать больше

Эпитаксиальная пластина GaN 375 мкм Отдельно стоящие подложки U-GaN SI-GaN

Эпитаксиальная пластина GaN 375 мкм Отдельно стоящие подложки U-GaN SI-GaN

JDCD01-001-019

Сучжоу Китай

Свяжитесь сейчас

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Active Member

4 Годы

вафля Si 12.5mm 2inch Freestanding n GaN Epi дала допинг

вафля Si 12.5mm 2inch Freestanding n GaN Epi дала допинг

вафля Si 12.5mm 2inch Freestanding n GaN Epi дала допинг

4-дюймовый легированный UID GaN N-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление > 0,5 Ом·см Светодиод, лазер, эпитаксиальная пластина PIN

4-дюймовый легированный UID GaN N-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление > 0,5 Ом·см Светодиод, лазер, эпитаксиальная пластина PIN

4-дюймовый легированный UID GaN N-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление > 0,5 Ом·см Светодиод, лазер, эпитаксиальная пластина PIN

2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства

2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства

2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

самолет c субстрата 10*10.5mm2 GaN одиночного Кристл (0001) с угла к M-оси 0,35 ±0.15°

самолет c субстрата 10*10.5mm2 GaN одиночного Кристл (0001) с угла к M-оси 0,35 ±0.15°

самолет c субстрата 10*10.5mm2 GaN одиночного Кристл (0001) с угла к M-оси 0,35 ±0.15°

система 150mm быстрая термальная обжигая с 3 газами наборов отростчатыми

система 150mm быстрая термальная обжигая с 3 газами наборов отростчатыми

система 150mm быстрая термальная обжигая с 3 газами наборов отростчатыми

Заменить партию

4-дюймовый допированный свободностоящий субстрат галлиевого нитрида

4-дюймовый допированный свободностоящий субстрат галлиевого нитрида

Просмотр деталей

GaN 2 дюйма Нитрид галлия однокристаллический субстрат

GaN 2 дюйма Нитрид галлия однокристаллический субстрат

Просмотр деталей

625um до 675um 4 дюйма Синий светодиод галлиевого нитрида GaN Эпитаксиальная пла

625um до 675um 4 дюйма Синий светодиод галлиевого нитрида GaN Эпитаксиальная пла

Просмотр деталей

ГаН эпитаксиальная пластина, необходимая для производства высоковольтных высокоч

ГаН эпитаксиальная пластина, необходимая для производства высоковольтных высокоч

Просмотр деталей

2-дюймовый N-тип GaN на сапфировом эпитаксиальном пластинке для устройства LED-л

2-дюймовый N-тип GaN на сапфировом эпитаксиальном пластинке для устройства LED-л

Просмотр деталей

Найти похожие товары по категориям:

Главная страница поставщика Продукты

MachineU Видеоканал Минералы и металлургия Цветной металл Слитки Слитки кремния

Контактный поставщик

Сообщение*

Электронная почта*

Телефон или WhatsApp*

Имя

Компания

Требование о предоставлении

Пожалуйста, ответьте мне в течение 24 часов.

Да, я бы хотел получить подтвержденные поставщики!