ранг продукции вафель 4inch 6inch 8inch 4H-N sic фиктивная основная для прибора MOS SBD, типа ранга 8inch 6inch 4H-N продукции вафли субстрата Sic для приборов радиочастоты

Особенность SiC

Применение

Спецификация для вафель 8inch 4H-N sic. (2inch, 3inch 4inch, вафля 8inch sic также доступно)

• Размер: 8inch;
• Диаметр: 200mm±0.2;
• Толщина: 500um±25;
• Поверхностная ориентация: 4 к [11-20] ±0.5°;
• Ориентация зазубрины: [1-100] ±1°;
• Глубина зазубрины: 1±0.25mm;
• Micropipe: <1cm2>
• Плиты наговора: Никакие позволили;
• Резистивность: 0.015~0.028Ω;
• EPD:<8000cm2>
• ТЕД:<6000cm2>
• BPD:<2000cm2>
• TSD:<1000cm2>
• SF: зона<1>
• TTV≤15um;
• Warp≤40um;
• Bow≤25um;
• Поли области: ≤5%;
• Царапина: <5 and="" Cumulative="" Length="">
• Обломоки/выделяют: Никакие позволяют ширину и глубину D>0.5mm;
• Отказы: Никакие;
• Пятно: Никакие
• Край вафли: Скосите;
• Поверхностный финиш: Двойная сторона польская, CMP стороны Si;
• Упаковка: кассета Мульти-вафли или одиночный контейнер вафли;

Цепь SiC кремниевого карбида промышленная разделена в подготовку субстрата материальную, рост эпитаксиального слоя, изготовлять прибора и идущие дальше по потоку применения. Монокристаллы кремниевого карбида обычно подготовлены физической передачей пара (методом PVT), и после этого эпитаксиальные листы произведены низложением химического пара (методом CVD) на субстрате, и уместные приборы в конце концов сделаны. В промышленной цепи приборов SiC, должной к затруднению технологии изготовления субстрата, значение промышленной цепи главным образом сконцентрировано в связи в верхней части потока субстрата.

Родственные продукты

Почему выберите компанию ZMSH

1. Полная цепь продукции от резать к окончательной чистке и паковать.
2. Возможность для того чтобы исправить вафли с диаметрами 4 inch-12-inch.
3. опыт 20 год wafering и исправлять monocrystalline электронных материалов

Технология ZMSH может обеспечить клиентов с импортированное и отечественное высококачественное проводным, 2-6inch полу-изолируя и субстратами HPSI (особой чистоты Полу-изолируя) SiC в сериях; К тому же, она может обеспечить клиентов с листами однородного и неоднородного кремниевого карбида эпитаксиальными, и может также быть подгоняна согласно специфическим потребностям клиентов, без количества минимального заказа.

Свяжитесь мы

Моника Liu
Телефон: +86-198-2279 до 1220 (whatsapp или skype доступны)

Электронная почта: monica@zmsh-materials.com
Компания: CO. ШАНХАЯ ИЗВЕСТНОЕ ТОРГОВОЕ, LTD.

Фабрика: CO. ТЕХНОЛОГИИ WUXI JINGJING, LTD.

Адрес: Room.5-616, дорога No.851 Dianshanhu, зона Qingpu
Город Шанхая, Китай /201799
Мы фокус на кристалле полупроводника (GaN; SiC; Сапфир; GaAs; InP; Кремний; MgO, LT/LN; etc.)