Спецификации
Номер модели :
4H SiC
Место происхождения :
Китай
Минимальное количество заказов :
10%
Условия оплаты :
T/T
Способность к поставкам :
1000pc/month
Время доставки :
в 30days
Подробная информация об упаковке :
пластиковая коробка на заказ
Материал :
Силиконовый карбид
Размер :
6 дюймов
День. :
150 мм ± 0,22 мм
Сопротивляемость :
≥1E8ohm·cm
Варп :
≤ 35 мкм
Параметр :
Тип Semi, P, N
TTV :
≤5 мкм
Грубость :
Ра≤0,2 нм
Поверхностная отделка :
Односторонние или двусторонние полированные
Заявления :
Электроника мощности, оптоэлектроника
на заказ :
ОК
Описание

Описание продукта:

6-дюймовый карбид кремния полуизоляционный SiC композитный субстрат тип P тип N тип однополый двойной полир

Полуизолирующие карбиды кремния (SiC) - это новый тип материалов для электротехники и микроволновых устройств.Полуизоляционные композитные субстраты SiC широко используются в электротехникеОн особенно подходит для производства высокопроизводительных микроволновых интегральных схем и усилителей мощности.По сравнению с традиционными кремниевыми субстратами, полуизоляционные композитные подложки SiC имеют более высокую изоляцию, теплопроводность и механическую прочность,создание идеальной материальной основы для развития нового поколения высокомощных, высокочастотные электронные устройства.

6-дюймовый карбид кремния полуизоляционный SiC композитный субстрат тип P тип N тип однополый двойной полир

Особенности:

· Высокая сопротивляемость: полуизоляционные пластинки SiC могут достигать сопротивляемости порядка 10^8-10^10 Ω·cm.Это чрезвычайно высокое сопротивление позволяет эффективно изолировать электронные устройства от помех друг другу.

·Низкие диэлектрические потери: полуизоляционные пластинки SiC имеют чрезвычайно низкий коэффициент диэлектрических потерь, обычно менее 10^-4.Это помогает уменьшить потерю энергии устройства при работе на высоких частотах.

·Отличная теплопроводность: материалы SiC имеют высокую теплопроводность и могут эффективно проводить тепло, вырабатываемое устройством.Это помогает улучшить производительность теплового управления устройства и улучшить стабильность работы.

6-дюймовый карбид кремния полуизоляционный SiC композитный субстрат тип P тип N тип однополый двойной полир

·Высокая механическая прочность: полуизоляционные пластинки SiC имеют высокую твердость и силу изгиба.Он выдерживает большие механические напряжения и подходит для производства высоконадежных электронных устройств..

·Хорошая химическая устойчивость: материалы с СиС имеют отличную химическую устойчивость при высоких температурах, химически коррозионной среде.Это полезно для улучшения срока службы устройства в суровых условиях.

·Хорошая совместимость с Си: константа решетки и коэффициент теплового расширения полуизоляционных пластин СиС аналогичны к кремниевым.Это помогает упростить процесс производства устройств и снизить издержки производства.

Технические параметры:

6-дюймовый карбид кремния полуизоляционный SiC композитный субстрат тип P тип N тип однополый двойной полир

Применение:

1.RF и микроволновые устройства: полуизоляционный SiC идеально подходит для изготовления интегральных схем RF и микроволновых из-за его низкой диэлектрической потери и высокой изоляции.Он может применяться к высокочастотным микроволновым полям, таким как базовые станции мобильной связи, радиолокационных систем и спутниковой связи.

2.Электротехника: полуизоляционный СиС имеет отличную теплопроводность и высокотемпературные характеристики, что полезно для изготовления устройств с полупроводниками питания.Его можно использовать для изготовления высокопроизводительных электронных устройств, таких как усилители мощности, переключение источников питания и преобразование мощности.

3.Оптоэлектроника: полуизоляционный СиС имеет устойчивость к излучению и может использоваться для изготовления фотодетекторных устройств, которые работают в радиационной среде.национальной обороны и других областях с строгими требованиями к радиационной устойчивости.

6-дюймовый карбид кремния полуизоляционный SiC композитный субстрат тип P тип N тип однополый двойной полир

Настройка:

Наш SiC субстрат доступен в полуизоляционном типе и сертифицирован RoHS. Минимальное количество заказа составляет 10pc, а цена зависит от случая.Время доставки в течение 30 дней и мы принимаем условия оплаты T / TМы можем поставлять 1000 штук в месяц. размер силикокарбона 6 дюймов. место происхождения - Китай.



6-дюймовый карбид кремния полуизоляционный SiC композитный субстрат тип P тип N тип однополый двойной полир

Наши услуги:

1Производство и продажа на заводе.

2Быстрые, точные цитаты.

3Мы ответим вам в течение 24 рабочих часов.

4. ODM: индивидуальный дизайн доступен.

5Скорость и ценная доставка.

Часто задаваемые вопросы

Вопрос: Ваша компания работает только с бизнесом?
О: Да, но мы не выращиваем кристалл Сик сами.

Вопрос: Какой способ доставки и стоимость?
A: (1) Мы принимаем DHL, Fedex, EMS и т.д.
(2) Если у вас есть собственный экспресс-счет, это здорово. Если нет, мы можем помочь вам отправить их.
Груз соответствует фактическому расчету.

В: Могу ли я настроить продукцию в соответствии с моими потребностями?
О: Да, мы можем настроить материал, спецификации и форму, размер на основе ваших потребностей.

Отправьте сообщение этому поставщику
Отправляй сейчас

6-дюймовый карбид кремния полуизоляционный SiC композитный субстрат тип P тип N тип однополый двойной полир

Спросите последнюю цену
Номер модели :
4H SiC
Место происхождения :
Китай
Минимальное количество заказов :
10%
Условия оплаты :
T/T
Способность к поставкам :
1000pc/month
Время доставки :
в 30days
Контактный поставщик
6-дюймовый карбид кремния полуизоляционный SiC композитный субстрат тип P тип N тип однополый двойной полир
6-дюймовый карбид кремния полуизоляционный SiC композитный субстрат тип P тип N тип однополый двойной полир
6-дюймовый карбид кремния полуизоляционный SiC композитный субстрат тип P тип N тип однополый двойной полир

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
8 Годы
shanghai, shanghai
С тех пор 2013
Вид деятельности :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Основные продукты :
, ,
Общее годовое :
1000000-1500000
Уровень сертификации :
Verified Supplier
Узнайте о аналогичных продуктах
Смотрите больше
Контактный поставщик
Требование о предоставлении