Спецификации
Номер модели :
IRLR3915TRPBF
Место происхождения :
Китай
Количество минимального заказа :
10
Условия оплаты :
T/T, западное соединение
Способность поставки :
500000PCS
Срок поставки :
2-15days
Упаковывая детали :
стандартный пакет
Семья :
Дискретные полупроводниковые продукты
Категория :
Электронные компоненты-MOSFET (оксид металла)
Серия :
HEXFET MOSFET (оксид металла)
Низкопробный номер детали :
IRLR3915
Детали :
N-Channel 55 В 30 A (Tc) 120 Вт (Tc) D-Pak для поверхностного монтажа
Тип :
Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Описание :
МОП-транзистор N-CH 55V 30A DPAK
Пакет :
ТО-252-3, ДПак (2 отвода + вкладка), СК-63
Устанавливать тип :
Поверхностный держатель
Запасы :
В наличии
Описание

IRLR3915TRPBF Infineon Technologies/International Rectifier IOR HEXFET MOSFET N-Channel 55V 30A DPAK Discrete Semiconductor Products

N-Channel 55 В 30 A (Tc) 120 Вт (Tc) D-Pak для поверхностного монтажа

Описание

В этом силовом МОП-транзисторе HEXFET® используются новейшие технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления в открытом состоянии на единицу площади кремния.

Дополнительными характеристиками этого продукта являются рабочая температура перехода 175°C, высокая скорость переключения и повышенная устойчивость к повторяющимся лавинам.В совокупности эти функции делают эту конструкцию чрезвычайно эффективным и надежным устройством для использования в самых разных приложениях.

Функции :

Усовершенствованная технология обработки Сверхнизкое сопротивление в открытом состоянии Рабочая температура 175°C Быстрое переключение Повторяющаяся лавина Допускается до Tjmax D-Pak IRLR3915PbF I-Pak IRLU3915PbF Lea

Технические характеристики продукта

Номер части IRLR3915TRPBF
Базовый номер детали IRLR3915
ЕС RoHS Соответствует освобождению
ECCN (США) EAR99
Статус детали Активный
ХТС 8541.29.00.95
Категория
Дискретные полупроводниковые продукты
 
Транзисторы - FET, MOSFET - Single
производитель
Инфинеон Технологии
Ряд
HEXFET®
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Статус детали
Активный
Тип полевого транзистора
N-канал
Технологии
МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение сток-исток (Vdss)
55 В
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
30А (Тс)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)
5В, 10В
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14 мОм при 30 А, 10 В
Vgs(th) (макс.) @ Id
3 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
92 нКл при 10 В
VGS (макс.)
±16В
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1870 пФ при 25 В
Полевой транзистор
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
120 Вт (Тс)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (ТДж)
Тип крепления
Поверхностное крепление
Пакет устройств поставщика
Д-пак
Пакет/кейс
ТО-252-3, ДПак (2 отвода + вкладка), СК-63
Базовый номер продукта
IRLR3915

Infineon HEXFET Power MOSFET N Channel 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF

Infineon HEXFET Power MOSFET N Channel 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF

Infineon HEXFET Power MOSFET N Channel 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF

Отправьте сообщение этому поставщику
Отправляй сейчас

Infineon HEXFET Power MOSFET N Channel 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF

Спросите последнюю цену
Номер модели :
IRLR3915TRPBF
Место происхождения :
Китай
Количество минимального заказа :
10
Условия оплаты :
T/T, западное соединение
Способность поставки :
500000PCS
Срок поставки :
2-15days
Контактный поставщик
Infineon HEXFET Power MOSFET N Channel 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF
Infineon HEXFET Power MOSFET N Channel 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF
Infineon HEXFET Power MOSFET N Channel 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF

Angel Technology Electronics Co

Verified Supplier
4 Годы
hongkong, shenzhen
С тех пор 2006
Вид деятельности :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent
Основные продукты :
, ,
Общее годовое :
80 millions-500 millions
Количество работников :
20~200
Уровень сертификации :
Verified Supplier
Контактный поставщик
Требование о предоставлении