Спецификации
Номер модели :
IRFB7440PBF IRFB4310PBF IRFB4115PBF
Место происхождения :
Китай
Количество минимального заказа :
10pieces
Условия оплаты :
T/T, западное соединение
Способность поставки :
500000PCS
Срок поставки :
2-15days
Упаковывая детали :
стандартный пакет
Семья :
Дискретные полупроводниковые продукты
Категория :
Электронные компоненты-MOSFET (оксид металла)
Серия :
HEXFET MOSFET (оксид металла)
Низкопробный номер детали :
ИРФБ4
Детали :
N-Channel 180A (Tc) 200W (Tc) Сквозное отверстие TO-220AB
Тип :
Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Описание :
Транзисторы MOSFET N-CH TO220AB
Пакет :
ТО220
Устанавливать тип :
Через отверстие
Запасы :
В наличии
Описание

IRFB7440PBF 40 В 120 A IRFB4310PBF 100 В 130 A IRFB4115PBF 150 В 104 A Транзисторы TO-220AB HEXFET FET МОП-транзисторы

Транзисторы N-Channel 180A 200W Through Hole TO-220AB HEXFET FETs MOSFET

---ИРФБ7440ПБФ 40В 120А ИРФБ4310ПБФ 100В 130А ИРФБ4115ПБФ 150В 104А

Описание:
В этом силовом МОП-транзисторе HEXFET® используются новейшие технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления в открытом состоянии на единицу площади кремния.
Дополнительными характеристиками этого продукта являются рабочая температура перехода 175°C, высокая скорость переключения и повышенная устойчивость к повторяющимся лавинам.В совокупности эти функции делают эту конструкцию чрезвычайно эффективным и надежным устройством для использования в самых разных приложениях.

N-Channel 180A (Tc) 200W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB Спецификация:

Категория
Дискретные полупроводниковые продукты
 
Транзисторы - FET, MOSFET - Single
производитель
Инфинеон Технологии
Ряд
HEXFET®
Упаковка
Трубка
Тип полевого транзистора
N-канал
Технологии
МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение сток-исток (Vdss)
40 В
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
180А (Тс)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)
10В
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3,7 мОм при 75 А, 10 В
Vgs(th) (макс.) @ Id
4 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
150 нКл при 10 В
VGS (макс.)
±20В
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
4340 пФ при 25 В
Полевой транзистор
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
200 Вт (Тс)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (ТДж)
Тип крепления
Через отверстие
Пакет устройств поставщика
ТО-220АБ
Пакет/кейс
ТО-220-3
Базовый номер продукта
IRF1404


Экологические и экспортные классификации
АТРИБУТ ОПИСАНИЕ
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (неограниченно)
ДОСТИЖЕНИЕ Статус REACH Не затронуто
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095



IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A

Отправьте сообщение этому поставщику
Отправляй сейчас

IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A

Спросите последнюю цену
Номер модели :
IRFB7440PBF IRFB4310PBF IRFB4115PBF
Место происхождения :
Китай
Количество минимального заказа :
10pieces
Условия оплаты :
T/T, западное соединение
Способность поставки :
500000PCS
Срок поставки :
2-15days
Контактный поставщик
IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A
IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A

Angel Technology Electronics Co

Verified Supplier
4 Годы
hongkong, shenzhen
С тех пор 2006
Вид деятельности :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent
Основные продукты :
, ,
Общее годовое :
80 millions-500 millions
Количество работников :
20~200
Уровень сертификации :
Verified Supplier
Контактный поставщик
Требование о предоставлении