MachineU > Китайские продукты > Минералы и металлургия > Металлы и изделия из металла > Другие металлы и металлопродукция
Силиконовый карбид субстрат 4'' Sic 3C-N Диаметр 100 мм Проводящий тип нулевой MPD Производственный класс
Силиконовый карбид субстрат 4'' Sic 3C-N Диаметр 100 мм Проводящий тип нулевой MPD Производственный класс
Силиконовый карбид субстрат 4'' Sic 3C-N Диаметр 100 мм Проводящий тип нулевой MPD Производственный класс
Силиконовый карбид субстрат 4'' Sic 3C-N Диаметр 100 мм Проводящий тип нулевой MPD Производственный класс
Силиконовый карбид субстрат 4'' Sic 3C-N Диаметр 100 мм Проводящий тип нулевой MPD Производственный класс
Силиконовый карбид субстрат 4'' Sic 3C-N Диаметр 100 мм Проводящий тип нулевой MPD Производственный класс
Спецификации
Номер модели :
3C-N SiC
Место происхождения :
Китай
Минимальное количество заказов :
10%
Условия оплаты :
T/T
Способность к поставкам :
1000pc/month
Время доставки :
в 30days
Подробная информация об упаковке :
пластиковая коробка на заказ
Размер :
4inch
Диэлектрическая постоянная :
9,7
Твердость поверхности :
ВВ0.3>2500
Плотность :
3.21 Г/см3
Коэффициент теплового расширения :
4,5 X 10-6/K
Напряжение отключения :
5,5 МВ/см
Заявления :
Коммуникации, радарные системы
Описание

Описание продукта:

Силиконовый карбид субстрат 4" Sic 3C-N Диаметр 100 мм Проводящий тип нулевой MPD Производственный класс

3C-SiC (Cubic Silicon Carbide) - это полупроводниковый материал с широкой полосой пробела с хорошими электрическими и тепловыми свойствами, особенно подходящий для высокочастотных,приложения для высокопроизводительных и электронных устройствДопинг N-типа обычно достигается путем введения таких элементов, как азот (N) и фосфор (P), что делает материал электронегативным и подходящим для различных конструкций электронных устройств.Разрыв в диапазоне примерно 3.Допинг N-типа по-прежнему поддерживает высокую мобильность электронов, что повышает производительность устройства.Отличная теплопроводность помогает улучшить способность теплораспределяющих устройств. Он обладает хорошей механической прочностью и подходит для использования в суровой среде. Он имеет хорошую устойчивость к широкому спектру химических веществ и подходит для промышленных применений.используется в высокоэффективных преобразователях мощности и приводах, подходящий для электромобилей и систем возобновляемой энергетики.

Силиконовый карбид субстрат 4'' Sic 3C-N Диаметр 100 мм Проводящий тип нулевой MPD Производственный классСиликоновый карбид субстрат 4'' Sic 3C-N Диаметр 100 мм Проводящий тип нулевой MPD Производственный класс

Особенности:

· Широкий диапазон пропускания: диапазон пропускания приблизительно 3,0 eV для применения при высоких температурах и высоком напряжении.
· Высокая мобильность электронов: допинг N-типа обеспечивает хорошую мобильность электронов и повышает общую производительность устройства.
· Отличная теплопроводность: она обладает отличной теплопроводностью и эффективно улучшает производительность рассеивания тепла, подходящая для применения на высокой мощности.
· Хорошая механическая прочность: имеет высокую прочность и сжимаемость, и подходит для использования в суровой среде.
· Устойчивость к химическим веществам: хорошая устойчивость к широкому спектру химических веществ, повышающая устойчивость материала.
· Регулируемые электрические характеристики: путем корректировки концентрации допинга могут быть достигнуты различные электрические свойства для удовлетворения потребностей различных приложений.

Силиконовый карбид субстрат 4'' Sic 3C-N Диаметр 100 мм Проводящий тип нулевой MPD Производственный классСиликоновый карбид субстрат 4'' Sic 3C-N Диаметр 100 мм Проводящий тип нулевой MPD Производственный класс

Технические параметры:

Силиконовый карбид субстрат 4'' Sic 3C-N Диаметр 100 мм Проводящий тип нулевой MPD Производственный класс

Применение:

1Электроника мощности: для высокоэффективных преобразователей мощности, инверторов и приводов, широко используемых в электромобилях и системах возобновляемой энергетики.
2. радиочастотное и микроволновое оборудование: радиочастотное усилители, микроволновое оборудование, особенно подходящие для связи и радиолокационных систем.
3Оптоэлектроника: может использоваться в качестве строительного блока для светодиодов и световых детекторов, особенно в синих и ультрафиолетовых приложениях.
4Датчики: применяются к широкому спектру датчиков в условиях высокой температуры и высокой мощности, обеспечивая надежную производительность.
5Беспроводное заряжение и управление батареей: используется в системах беспроводной зарядки и устройствах управления батареей для повышения эффективности и производительности.
6Промышленное электрическое оборудование: используется в системах автоматизации и управления для повышения энергоэффективности и стабильности системы.
Силиконовый карбид субстрат 4'' Sic 3C-N Диаметр 100 мм Проводящий тип нулевой MPD Производственный классСиликоновый карбид субстрат 4'' Sic 3C-N Диаметр 100 мм Проводящий тип нулевой MPD Производственный класс

Настройка:

Наш SiC субстрат доступен в типе 3C-N и сертифицирован RoHS. Минимальное количество заказа составляет 10pc, а цена зависит от случая. Детали упаковки - это пластиковые коробки на заказ.Время доставки в течение 30 дней и мы принимаем условия оплаты T / T. Наша способность к поставкам составляет 1000 штук/месяц. Размер SiC субстрата 2 дюйма. Место происхождения - Китай.


Силиконовый карбид субстрат 4'' Sic 3C-N Диаметр 100 мм Проводящий тип нулевой MPD Производственный класс

Наши услуги:

1Производство и продажа на заводе.

2Быстрые, точные цитаты.

3Мы ответим вам в течение 24 рабочих часов.

4. ODM: индивидуальный дизайн доступен.

5Скорость и ценная доставка.

Часто задаваемые вопросы

В: Могу ли я настроить продукцию в соответствии с моими потребностями?
О: Да, мы можем настроить материал, спецификации и форму, размер на основе ваших потребностей.

Вопрос: Какой способ доставки и стоимость?
A: ((1) Мы принимаем DHL, Fedex, EMS и т.д.
(2) Если у вас есть собственный экспресс-счет, это здорово. Если нет, мы можем помочь вам отправить их.
Груз соответствует фактическому расчету.

Отправьте сообщение этому поставщику
Отправляй сейчас

Силиконовый карбид субстрат 4'' Sic 3C-N Диаметр 100 мм Проводящий тип нулевой MPD Производственный класс

Спросите последнюю цену
Подробная информация о продукте
Номер модели :
3C-N SiC
Место происхождения :
Китай
Минимальное количество заказов :
10%
Условия оплаты :
T/T
Способность к поставкам :
1000pc/month
Время доставки :
в 30days
Контактный поставщик
Силиконовый карбид субстрат 4'' Sic 3C-N Диаметр 100 мм Проводящий тип нулевой MPD Производственный класс
Силиконовый карбид субстрат 4'' Sic 3C-N Диаметр 100 мм Проводящий тип нулевой MPD Производственный класс
Силиконовый карбид субстрат 4'' Sic 3C-N Диаметр 100 мм Проводящий тип нулевой MPD Производственный класс

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
8 Годы
shanghai, shanghai
С тех пор 2013
Вид деятельности :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Основные продукты :
, ,
Общее годовое :
1000000-1500000
Уровень сертификации :
Verified Supplier
Узнайте о аналогичных продуктах
Смотрите больше
Смотреть связанные видео

Найти похожие товары по категориям:

Главная страница поставщика Продукты
MachineU Китайские продукты Минералы и металлургия Металлы и изделия из металла Другие металлы и металлопродукция
Контактный поставщик
Требование о предоставлении